CMOS光谱仪和CCD光谱仪哪个更好？

　　在测碳光谱仪行业，无论是早期的OES火花直读光谱仪，还是目前最新的手持式LIBS激光光谱仪，感光元件都是其核心部件，元器件的好坏关系到仪器的检测精度。CCD和CMOS就是目前在用的两种技术。
　　1. CCD（电荷耦合）元件；
　　2. CMOS（互补金属氧化物半导体）器件
　　在这里给大家简单介绍一下CCD和CMOS技术上的差异：
　　1. CCD图像传感器1970年诞生于贝尔实验室，是一种半导体器件，能够把光学影像转化为电信号。 CCD最突出的特点是以电荷作为信号，而不是电流或电压作为信号。CCD技术可以实现多通道，增加检测的元素只需要增加曲线，检测效率高，可以短时间内快速得出结果。在光谱仪领域，因为CCD技术比较成熟，是目前应用最广泛的，也是目前占据市场主流的技术。
　　CCD只有一个放大器放在芯片边缘，其信号读出过程通常使用一个（或少数几个）输出节点统一读出，其信号输出的一致性非常好，但是CCD 为了读出整幅图像信号，要求输出放大器的信号带宽较宽，因此功耗比较高，并且价格相对来说也比较高；
　　（如：美国赛谱司SciAps手持式LIBS激光光谱仪Z-200C+采用CCD堆栈技术，内置3个CCD：一种用于氩气的紫外线元素，一种用于空气的长波长元素，另外一种专门用于检测190–230nm光谱范围的高分辨率CCD，可为碳分析提供更高的分辨率和更低的检出限，并且拥有极高的重复性）。
　　2. CMOS图像传感器从上世纪90年代开始进行研发，具有价格低廉，体积小，功耗低等特点。CMOS工作原理与CCD相比没有本质上的区别，它早期被应用在电脑主板，相机等行业，近几年开始应用于光谱仪行业。
　　CMOS 每个感光二极管都需搭配一个放大器，其信号读出过程中，每个像素都有各自的信号放大器，各自进行电荷-电压的转换，其信号输出的一致性较差。但每个像元中的放大器的带宽要求较低，大大降低了芯片的功耗，因此CMOS芯片功耗比CCD 要低。尽管降低了功耗，但放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，数以百万的放大器的不一致性却带来了更高的固定噪声，这又是CMOS 相对CCD 的固有劣势。基于这一点，CMOS传感器还有很长的路要走，完全替代CCD暂时无法实现。
　　不管哪个行业，任何一种新技术取代旧技术都需要一个相当漫长的过程，光谱仪行业也不例外。
　　采用CMOS技术的光谱仪，虽然价格低廉，具有明显的成本优势，但光谱仪属于精密检测仪器，对配件要求非常的严格，CMOS技术是否适应光谱仪行业还需要更多实验和数据，并且需要不停的进行技术的更新。
　　虽然目前性能上CMOS技术比CCD要差，但其为光谱分析技术的发展提供了更多的可能性，相信随着光谱技术的发展，CMOS技术一定也会取得长足的进步，但等到有一天，CMOS传感器能够攻克这些缺点的时候，也许CCD会被完全替代，广大客户采购光谱仪的成本也许同样将会随之下降，让我们拭目以待。