中国的军用芯片和光刻机处于世界什么水平？

　　#中国的军用芯片和光刻机处于世界什么水平#简单的说，目前我国军用芯片100%国产化了，至于水平，由于没有可对比芯片，无从谈起。而对我国光刻机来说，在芯片制造方面唯一目前没和世界先进水平接轨的，就是光刻机。
　　宇航级国产芯片
　　我们简单分析一下芯片制造技术：一、前道
　　芯片生产离不开最基础的晶圆，我国自产的晶圆基本够用，能达到14nm水平。例如国内龙头企业沪硅产业、昱辉阳光能源，它们的300mm的晶圆可用于14nm的工艺。
　　宇航级国产处理器
　　前道工序是芯片制造最核心的流程，通过这过程晶圆制造成为芯片。主要有8个工序：扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试。所以至少有8类关键设备：
　　1.扩散
　　扩散是指在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，由此形成不同的电特性区域，主要设备为扩散炉。 我国的北方华创生产的扩散炉就可以完成14nm芯片产品的扩散。
　　2.薄膜沉积
　　薄膜沉积是指在芯片上形成薄膜的过程，我国的北方华创、沈阳拓荆等等，他们的最新工艺可以做到14nm薄膜沉积，我国薄膜沉积设备国产化率仅为2%。
　　3.光刻
　　此时就要说到光刻了，它是以光为刀在芯片上刻出芯片设计的电路图出来的，关键设备为光刻机。
　　国内目前水平最高的为上海微电子，其最新型号SSA600/20光刻机工艺达到90nm 。其SSX600系列步进扫描投影光刻机，通过采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足90nm、110nm、280nm关键层光刻工艺需求。
　　尽管，有专家说通过反复曝光，SSA600/20光刻机可以生产28 nm芯片，但要增加近百次工序，难度极大，且良品率极低，所以，只是理论上可行，但不能用于生产。
　　目前，最先进的ASML光刻机为5 nm，从90 nm到5 nm，我国和国际先进水平差距很大。
　　4.刻蚀
　　刻蚀是将光刻在芯片上电路图的衬底表面等等进行有针对性的腐蚀、剥离，主要设备是刻蚀机。国内目前最高水平为中微半导体，它的刻蚀机已达到了5nm水平，世界一流行业。
　　5.离子注入
　　离子注入是通过对芯片表面进行离子掺杂，来改变其导电类型，设备为离子注入机。
　　国内离子注入机厂家有中科信、凯世通等等，它们工艺都可以做到28nm左右，中科信的22nm离子注入机已接近定型生产。
　　6.CMP抛光
　　CMP抛光这个更没问题了，它一般就是通过化学和机械作用实现晶圆的表面平整。国内最好公司有华海清科、中电科，工艺都可以做到14nm。
　　7.金属化
　　芯片金属化就是将金属薄膜沉积到晶片上，然后就可以连接电路，关键设备为薄膜生产设备、清洁剂。国内最好公司为北方华创和盛美半导体，其产品工都可以做到14nm芯片制造。
　　8.测试
　　测试就不用说了，就是通过对芯片的信号来判断其功能和性能是否达到设计要求的过程，主要设备测试机。国内公司睿励科学、中科飞测的芯片测试机性能都不错，测试水平都可以做到28nm。二、后道
　　后道工序技术难度不高，国内公司的封测厂商都可以做到5nm的技术标准，世界一流水平。主要国内厂商有江苏长电、天水华天、通富微电，它们的后道都能做到5nm级别。
　　综上所述，如果我们的芯片全部采用国产设备，我们只能生产出90nm级别的芯片。此时，我们再来说说我国的军用芯片。三、我国军用芯片
　　军用芯片
　　而军用芯片，它的要求和民用级芯片完全不同。军用 芯片将可靠性、稳定性放在第一位、其次是抗干扰性， 然后才是性能，至于功耗及成本，都放在了最后一位。
　　宇航级国产存储器
　　所以有人说，军用芯片制造是不计成本，因为作为军用芯片，它数量注定比较少，生产的费用就不能用价格来衡量了。
　　因为以美国为首的西方国家，一直对我国实行严格的军用级芯片材料禁运措施。所以我们国家对军用芯片投入研发的时间较早，目前，我国军用电子元器件可以达到100%自产，至于说我国军用芯片水平有多高？没有对比，所以无从谈起。军用芯片，主要分片上系统（SoC）/微处理器、现场可编程门阵列（FPGA）、DSP芯片、模数/数模转换器（AD/DA）、存储器等等。
　　华睿1号
　　例如，作为＂核高基＂重大专项，我国自主研发的＂华睿1号＂DSP芯片。2009 年8 月完成芯片的系统设计。2009 年12 月完成芯片物理设计。2010 年1月进行芯片流片。2010 年6 月完成芯片的封装及成测，2010 年12 月完成 芯片的测试工作。2012年，华睿1号核高基课题顺利通过验收。 成为＂十一五＂国家＂核高基＂高端芯片重大专项中首个通过验收的DSP项目。
　　＂华睿1号＂DSP芯片采用了65nm工艺制程，工作频率550MHz，处理能力32GFMACS，功耗10W。今天我们看这个数据也许很一般，但是军用芯片不考虑这个。
　　华睿2号DSP
　　2018年4月， 十二五＂核高基＂重大专项高端芯片中首个通过验收的DSP项目，＂华睿2号＂军用芯片通过验收，＂华睿2号＂军用芯片主要用于电子对抗、通信、雷达等等军事领域。
　　看数据指标，＂华睿2号＂军用DSP 芯片采用了65nm工艺制程，工作主频为1GHz，每秒可完成4000亿次浮点运算，支持64位标准双精度。
　　此时，有人会问了，为什么不用和手机芯片一样用更细的工艺制程了？原因很简单，线程越细，芯片的稳定性越差，抗干扰性越弱，作为军用芯片，可靠性放在第一位。
　　综上所述，我国军用芯片已经可以100%国产化了，至于水平，由于没有可对比芯片，无从谈起，考虑到俄罗斯都没有自己的军事芯片，所以说，我国军用芯片世界一流水平没毛病。
　　而我国的光刻机，目前可以做到90nm量产芯片的水平，从无到有这也是世界先进水平了。因为全球就四家生产这个光刻机的，除了荷兰的ASML，只有日本佳能、尼康，以及中国上海微电子。