FLASH闪存主要有哪些？

　　FLASH闪存是一种非易失性内存，闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash存储器结合了ROM和RAM的长处且具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点。Flash总类可谓繁多且功能各异，而你对它了解有多少呢？本篇文章存储芯片供应商英尚微电子带大家一起来看看。
　　SPI NOR FLASH
　　SPI Nor Flash，采用的是SPI 通信协议，有4线(时钟，两个数据线，片选线)或者3线(时钟，两个数据线)通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IIC EEPROM的读写速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
　　Nor Flash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢，块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长;但SPI Nor Flash接口简单，使用的引脚少易于连接且操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高。
　　Parallel Nor Falsh
　　Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信协议，拥有独立的数据线和地址总线，它同样继承了NOR技术Flash Memory的所有特点;由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相对于SPI Nor Flash,支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路电子设计上会占用很多资源。Parallel Nor Falsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢，由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。
　　Parallel Nand Flash
　　Parallel Nand Flash同样采用了Parallel接口通信协议，Nand Flash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、MLC、TLC。Nand Flash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作;具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;芯片尺寸小，引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!
　　对比Parallel Nor Falsh，Nand Flash在擦除和读写方面的速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的性能和更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。这使Nand Flash很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用Nand Flash，当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通软件进行完善。
　　SPI Nand Flash
　　SPI Nand Flash，采用了SPI Nor Flash一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构上却采用了与Parallel Nand Flash相同的结构，所以SPI nand相对于SPI Nor Flash具有擦写的次数多，擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样跟Parallel Nand Flash一样会出现坏块，因此也需要做特殊坏块处理才能使用;
　　SPI Nand Flash相对比Parallel Nand Flash还有一个重要的特点，那就是芯片自己有内部ECC纠错模块，用户无需再使用ECC算法计算纠错，用户可以在系统应用当中可以简化代码简单操作。
　　FLASH因功能不同，使用的领域也各异，它在电子市场上应用极为广泛，需求量极大，每日的需求量可达百万的数量级，英尚微电子存储芯片供应商可提供样品及技术方面支持。