实现弯道超车！光电芯片有望打破西方垄断，南京大学立功了

　　自从改革开放之后，我国的经济迎来了飞速发展，这也导致了很多科研人员抛弃了自主研发的心态，纷纷下海经商。这也导致了科技无国界，造不如买的思想不断出现，以至于来到今天，我国在众多科技领域被西方卡脖子。
　　特别是在芯片半导体领域，我国更是被老美狠狠掐住。尽管华为拥有一流的芯片设计能力，但由于国内在光刻机、EDA软件设计、芯片制造等设备上都依赖于国外，这也导致我们与西方的差距明显。
　　这也是为何华为被老美封锁后，手机业务进入了寒冬。这背后透露出，想要想要打破西方的封锁垄断，就必须要自主研发创新，基于整条产业链都需要走上研发。
　　当然了，想要打破西方的垄断，如果一直把目光放在光刻机上，那是不行的。毕竟就算强如ASML光刻机巨头，它也是需要依赖全球各地的供应商，甚至背后有60的核心技术是来自美国，更别说背后涉及了来自全球各地的高端材料供应商。
　　所以我们必须要两条腿走路，一方面加强研发，追赶西方的脚步。一方面要开始弯道超车，在别的领域上实现高端芯片的突破。
　　毕竟在硅胶芯片上，也开始接近摩尔定律的天花板，再往下研发需要投入巨大成本，性能提升还达不到理想预期。在这一点上，华为也是早以明白，所以多次放出了硅胶芯片以外的技术专利。
　　比如芯片堆叠技术，利用112的方案去绕开光刻机的情况下，实现芯片性能的提升。同时在量子芯片上，华为也是早已布局，公布了大量的量子芯片技术专利，放出了首款量子芯片设计EDA软件，就是为了能够早日建造一条量子芯片发展的产业链。
　　除此之外，华为在光电芯片上也是小有成就。据了解华为已经在光电芯片领域深耕多年，甚至掌握了100G光模块技术突破，同时还计划在英国搭建全球研发中心，吸纳更多人才进驻华为，突破光电芯片难关。
　　其次，华为在武汉也设立了研发中心，前后有超过上万名人才扎根当中。或许很多人不了解芯片材料背后的实质。说白了，以往老美之所以能够卡我们脖子，就是因为在硅芯片上他们掌握了大量的核心技术。然而在光电芯片上，我们却完全不输西方，甚至有可能走在领先行列，还不受他们的垄断封锁。
　　因为光电芯片采用的是超微透镜，而不是传统的晶体管。利用光的信号取代了传统的电信号，这样就能够很好实现了所需的高运算频率，从而提升稳定性和高性能需求。
　　最重要的是这一技术完全可以绕开EUV光刻机进行制造芯片，这意味着我们不再需要依赖ASML的光刻机，不再依赖台积电的代工。
　　而前段时间，我国南京大学更是放出了一组好消息，在国际期刊《自然》上发表了一项新技术非互易飞秒激光极化铁电畴技术，这是首次把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸从1um缩小至30nm，彻底打破了纳米层级的界限。
　　南京大学的技术发表，意味着我国在光电芯片领域又实现了一大技术突破。或许很多人会说，这也只是存在于理论层级，等到可以实践量产再说吧！
　　其实并不然，因为芯片半导体领域本身就是一个全球分工明确的产业链。如今我们不仅需要以一己之力对抗整个西方，还需要到处摸黑，打破西方垄断。
　　毕竟星星之火可以燎原，只要走出了第一步，就能够实现第二步。在未来可以利用这项技术实现光电器件芯片的制造，甚至在未来的5G、6G、人工智能以及各种先进前沿技术上应用。
　　所以说今天不管是华为还是南京大学，在光电芯片领域放出的成就，都是对于中国芯发展的最大底气与信心。我相信，只要国产厂商加大力度投入自主研发和创新，咬定青山不放松，在不久的将来一定能够突破难关，实现真正的弯道超车，打破西方垄断！
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