东芯股份稳健发展崭露头角顺势而为筑梦中国芯

　　12月10日，伴着清脆的锣鸣之音，东芯股份正式登陆科创板，A股存储芯片再添新军，是身为民营企业服务国家战略的又一成功典范。东芯股份此次募资所投1xnm 闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目和研发中心建设项目，将加速国产储存芯片高端化进程。
　　近年来，国际贸易摩擦不断升级，部分国家不仅通过贸易保护手段，限制我国芯片发展，甚至通过国家力量打压、制裁我国科技企业，把技术掌握在自己手中迫在眉睫。国内存储芯片市场需求巨大，但严重依赖于进口，国际存储巨头长期占据市场主导权，国产化率占比低微。
　　东芯股份成立于2014年11月，一直致力于国产芯片，在快速成长中不断助力加速国产替代。通过实现NAND Flash产品从无到有的突破，再发展为一家产品覆盖NAND、NOR、DRAM全品类存储芯片的芯片设计公司，填补多项国内空白，打破国际垄断，并在国际市场崭露头角。
　　芯片行业属于技术密集行业，持续发展离不开长期资本的引领和催化，东芯股份通过本次募集资金，将为其在行业中提供更好的产品设计能力、技术研发实力、先进生产装备和良好服务提供强大助力，＂东方之芯 国人之梦＂可期。
　　稳健发展进入国内外知名企业供应体系
　　NAND Flash、NOR Flash 和 DRAM 为存储芯片的主要产品，三星电子、海力士和美光科技等行业巨头占据了多数的市场份额。公司凭借多年的研发积累和深厚的技术积淀，在中小容量市场拥有了国内领先的闪存芯片设计能力，同时公司也是国内极少数可提供 DRAM 产品的芯片设计公司。
　　技术是企业不断发展的基础。东芯股份截至 2021 年 6 月，公司研发人员占总员工比例达到 42.61%，并拥有超过 10 年以上在行业知名公司工作经历的研发人员共 63 人，多数曾在行业头部企业供职，具备丰富的研发经验和前瞻的战略眼光。公司拥有境内外专利 82 项，核心技术包括 6 项 NAND Flash 相关技术、2 项 NOR Flash相关技术以及 1 项 DRAM 相关技术。
　　凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司设计研发的 24nm NAND、48nm NOR 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内存储芯片的技术突破。先后获得 ＂第七届中国电子信息博览会创新奖＂、＂2020 年度中国 IC 设计成就奖之年度最佳存储器＂、＂2019 年度上海市‘专精特新’中小企业＂等荣誉称号。
　　稳定可靠的供应链体系是企业稳健经营的根基。东芯股份采用Fabless模式经营，打造了具有＂本土深度、全球广度＂的供应链体系， 在晶圆代工端，公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立了战略合作关系，并与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立多年紧密合作。在封测方面，公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、AT Semicon等境内外知名芯片封测企业建立紧密合作。
　　目前，东芯股份的产品以低功耗、高可靠性为特点已经在高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技、等多家厂商获得认证。同时，东芯股份的产品已经进入三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等产品。
　　下游市场需求上涨企业成长空间巨大
　　存储芯片是电子信息领域的重大战略性支柱产品，是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。受益于可穿戴设备 / 物联网、网络通信、监控安防等下游应用的繁荣发展，存储产业成长迅速，并随着更多新兴应用而带来更大的增长空间。
　　5G 基站建设加速，存储芯片需求持续增长。5G 通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点，中小容量 SLC NAND在性能稳定性上具有明显的优势。根据中国三大运营商2020年的建站计划，估计全球60%乃至70%的5G基站会在中国建成，对SLC NAND Flash和NOR Flash的需求不仅在于容量要更大，数量也在增加。
　　物联网市场爆炸式增长，低成本、低功耗存储芯片成首选。对于可穿戴设备来说，人们不仅希望它能流畅的运行各种应用，采集和感知各种人类运动和生理的数据，还要足够省电。所以对于物联网硬件设备来说，高能效、低功耗、小尺寸这几点都会是这类设备和芯片的未来发展方向。穿戴式设备已经不仅仅是使用NOR flash，以手环为例的产品也开始使用SPI NAND Flash。
　　汽车电动化与智能化，高容量 NOR Flash优势明显。近年，电动汽车和智能驾驶发展迅猛，相应的辅助驾驶系统 ADAS、电池管理系统等被广泛应用，高容量 NOR Flash 由于其 XIP 的特性及高可靠性等特点，在汽车电子中被广泛应用。同时，叠加配套器件如行车记录仪等带动的需求，预计该领域将带动 NORFlash、SLC NAND Flash 保持 10%以上的复合增长。
　　SPI NAND Flash让智能监控安防传输更快、画面更清晰。随着整个视频监控行业正在追求更快的网络化、更高的清晰度，存储器被提出严格的要求。3.3v 、128Mb 的NOR Flash全面转入到1GB的SPI Flash，数量和容量都在加大，并将随着智能监控安防的应用渗透而持续上升，东芯股份目前最大容量的客户配置达到了4GB 的SPI NAND Flash。
　　东芯半导体是目前国内少数同时提供NOR Flash、NAND Flash和DRAM三种产品系列存储器的本土设计公司。在NOR Flash领域，集中做低功耗产品，主要应用于智能穿戴市场。在NAND Flash领域，提供SPI或PPI两种类型接口，主要运用在宏基站、微基站、光猫、Wi-Fi6、监控、安防市场。在NAND MCP领域，产品主要应用于手机、基带。DRAM产品包括标准DDR3（L）产品和低功耗的LPDDR1/2产品等。
　　随便着中小容量存储芯片需求爆发，可以预见公司的业务规模将持续攀升，公司在存储芯片领域的行业地位将得到进一步的巩固和提升。
　　专注企业优势筑梦中国芯
　　目前，国内存储芯片市场需求巨大，但严重依赖于进口，国产芯片的重要性凸显。东芯股份结合自身技术特点和市场需求，与行业领先企业形成差异化竞争，在不断精进技术的同时专注于细分市场并实现填补和替代效应。
　　存储芯片行业一直由头部厂商三星电子、美光科技、海力士、铠侠、西部数据等寡头垄断。受益于国内产业链的整合，以及国内中小容量存储市场的快速增长，东芯股份在国产替代领域处国内技术领先地位，但与国际龙头厂商存在差距。
　　科创板设立的主要目的是增强资本市场对实体经济的包容性，更好地服务具有核心技术、行业领先、有良好发展前景和口碑的企业。公司所处行业属于技术密集行业，持续发展离不开长期资本的引领和催化，此次在科创板上市，充分体现出东芯股份的雄心壮志。
　　此次，公司募资项目，1xnm 闪存产品研发及产业化项目和车规级闪存产品研发及产业化项目是基于公司现有产品进一步迭代和升级，研发中心建设项目系基于公司现在主营业务与核心技术，就新技术的创新突破和新产品前瞻布局为主要研究方向。上述项目的建成，是东芯股份践行＂东方之芯 国人之梦＂理念的又一见证。