芯片领域国产自主化实力增强，我们离高端制程光刻机还有多远？

　　自从我们的高端芯片遭遇＂卡脖子＂之后。让更多的人认识到了国产自主可控的重要性，也让大多数人认识到没有＂光刻机＂将一事无成！难道高端工艺制程光刻机真的离我们很远吗？
　　众所周知，芯片的制造环节主要包括晶圆制造、设计、制造和封测几个环节。所以说，对我们来说，光刻机只是制造芯片的重要设备之一。像刻蚀机、薄膜设备、扩散离子注入设备、等技术设备对于芯片制造同等重要。 国产芯片技术领域再次取的重要突破，实现自主可控
　　5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。
　　近年来，山西在集中优势资源，发展新兴产业中稳扎稳打。在电子信息、高端装备制造等新兴产业上取得了重大突破。
　　在山西省半导体研究院，聚合了半导体技术研发生产的企业、高校和科研院所59家。
　　凭借着科研院校的技术力量支持，近日山西烁科晶体有限公司实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。
　　那么什么是碳化硅呢？又有何用途呢？产能有多大？碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。今天的碳化硅、碳化钾被誉为全球最先进的第三代半导体材料。此外碳化硅还具有耐高压、高频、大功率、热导率高、抗辐射性等优良的物理特性，其应用前景非常广泛。能让对应的装备体积缩小70%左右，能够降低50%以上的能量损失。
　　被广泛应用到卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料。此外还被应用于3-12英寸单晶硅、多晶硅、砷化钾、石英晶体等线切割。高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。
　　据消息称，目前该碳化硅基地一期共有300台设备，单月产值就能突破1亿元。该项目全部建成后将成为国内最大的碳化硅材料供应基地带动山西半导体产业集群迅速发展，实现中国碳化硅的完全自主供应。
　　中微半导体3nm刻蚀机诞生
　　中微半导体主要是为集成电路和泛半导体行业提供具竞争力的高端设备和高质量的服务的设备制造公司。是一家具有自主研发功能的科研企业，并研发了多款具自主知识产权的芯片设备，并在全球范围内申请了1200余项专利。
　　目前，该公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用在国际一线客户。实现了65纳米——14纳米、7纳米和5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。
　　据媒体消息称，中微公司已经成功研制出了3nm蚀刻机，并且已经完成原型机的设计，制造和测试。相关工艺开发和评估也已经完成，目前已经进入量产阶段。为中国高端芯片制造产业再次注入希望之源。
　　在尹志尧看来，目前我国大陆芯片制造与国际顶尖水平差距有三代左右，换算成时间大约是5-10年。但他非常看好国产芯片制造业的发展，他还特别强调，目前全世界，包括美国在内，没有任何一个国家能够仅凭一己之力把集成电路从头做到尾。中国集成电路发展在未来很可能会实现后来居上。
　　尹志尧表示，在未来中微半导体还有可能实现芯片领域的进一步发展。并且从三个纬度发展。
　　第一个维度是从目前的等离子体刻蚀设备，扩展到化学薄膜设备，和刻蚀及薄膜有关的测试等关键设备。第二个维度是，扩展在泛半导体设备领域的产品，从已经开发的用于制造MEMS和CIS影像感测器的刻蚀设备、制造蓝光LED的MOCVD设备，扩展到更多的微观器件加工设备，以及制造深紫外LED、Mini-LED、Micro-LED等微观器件的设备产品。第三个维度是探索核心技术在环境保护、工业互联网等新的应用。高端工艺制程光刻机离我们还有多远？
　　ASML曾这样许下豪言:这个世界上没有任何一个国家可以独立生产出EUV光刻机，即使给中国人图纸也造不出来。
　　不得不说这样的顶级光刻机EUV的背后集成了全球人类最先进的科技力量，整台光刻机包含10万多个零部件，重量高达180吨。
　　但是，对于中国人来说没有什么事情是做不到的。目前国内光刻技术领域也是在不断地向前推进。早在1956年，我国第一只晶体三极管诞生。1977年诞生了第一台接触式光刻机GK-3型半自动光刻机。1978年，1445所在GK-3的基础上开发了GK-4，把加工圆片直径从50毫米提高到75毫米，自动化程度再一次实现提高。1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机。
　　2016年，上海微电子实现了量产90、110和280三种光刻机，其中性能最好的是90nm光刻机。目前上海微电子已经由90nm光刻技术突破到28nm光刻技术，也就是说上海微电子的国产28nm光刻机即将在2021年交付。
　　所以说我国在光刻机领域还是拥有很扎实的基础的。科学的发展要有严谨的思维，光刻机的制造要一步一个脚印。在艰苦的岁月中，原子弹都造出来了。当中国芯彻底崛起时，将完全实现独立自主，没有人可以敢卡我们脖子！