西数存储日新型闪存和硬盘技术一次性全曝光

　　今年是存储巨头西部数据成立50周年。上月底，西数在存储日活动中介绍了全新闪存和硬盘技术。
　　西数在数年前收购了闪迪，取代后者成为东芝在闪存方面的合作伙伴。此次西数讨论的闪存新技术基本上源自东芝存储器公司。东芝第四代BiCS闪存使用了两个48层堆栈组成96层结构，在QLC架构下可实现1.33Tb/die的存储密度。
　　东芝虽然较早（2007年）提出了BiCS架构的3D闪存结构，但对3D堆叠技术的实际应用却晚于三星。下图或许是这种现象的一个合理解释：48层堆叠的BiCS2始终没有在每GB容量成本上超越平面15nm TLC闪存。64层堆叠的BiCS3大约在2017年第二季度到达了与15nm TLC的成本交叉点，而东芝自家的TR200固态硬盘（使用BiCS3闪存）正是在此后不久上市，拉开了64层3D闪存广泛应用的序幕。目前西数和东芝预计，96层堆叠的BiCS4闪存即将在今年二季度达到低于BiCS3的水平，届时96层闪存将顺理成章地成为市场主流。
　　3D闪存技术的发明本质上是为了在扩增容量的同时降低成本。当然东芝也没忘了保持性能成长，在128层堆叠的BiCS5中东芝预计将应用四平面闪存技术，大幅提高数据写入速度。
　　除了3D闪存之外，西数还与东芝一起研发了LFF（Low Latency Flash）低延迟闪存，它比普通3D闪存的延迟更低速度更快，耐久度也更高，是介于普通NAND闪存和内存之间的新型闪存，定位上与英特尔的3D XPoint以及三星的Z-NAND类似。
　　机械硬盘方面西数也没有落下，西数认为机械硬盘的未来在于企业级应用。希捷选择了HAMR热辅助磁记录技术来提高硬盘容量，而西数选择了MAMR微波辅助磁记录路线，双方在新技术的研发中都投入了巨量的资金，但两种路线的未来前景依然不是很明朗。
　　从PPT来看，西数并没有一条道走到黑，在研发MAMR的同时也进行了HAMR的技术储备，PPT里统称为＂Energy Assist＂，总之是通过技术手段给盘片上特定位置的磁介质施加能量，使其在短暂时间内具备被写入的能力。写入完成之后快速磁介质恢复到原来的状态以长期保存数据。
　　至于希捷的Mach.2双执行器技术，西数也针锋相对的提出了自己的Dual Actuator。原理一样，都是将原本只能协同动作的多个磁头分成两组，两组磁头分开执行寻道和数据读写，理论上最高可实现双倍的性能提升。配备双执行器技术的西数机械硬盘将于2020年问世，不出意外的话应该非企业级产品莫属。