上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗？

　　按道理，28nm光刻机22年年初就通过国家验收，前两个月的验收失败了，子系统没问题，整合上出了问题，28nm光刻机就可以做7nm芯片，台积电第一代7nm就是28nmDUV光刻机做的，中芯现在风险试产的7nm芯片也是通过28nm光刻机多次曝光，就是良率偏低，对应的就是成本偏高
　　这是一个误区，其实生产28纳米芯片和7纳米芯片的光刻机可以是同一种光刻机，只是使用光刻机的方式有变化而已。台积电昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻机，生产出来了从28纳米到7纳米的所有芯片。只不过现在有了EUV光源的光刻机，在生产7纳米芯片时效率更高，于是台积电就在许多工序改用了EUV光刻机，但并不是说浸入式ArF光源的DUV光刻机就不被使用到7纳米芯片工艺的工序中了。
　　如此一来，这个问题就简化成为，只要上海微电子攻克了生产28纳米的光刻机，理论上来说，通过工艺改进，不计成本的话，7纳米芯片也是可以被生产出来的。这理论上也算是攻克了7纳米的工艺吧。所以问题就变成了2025年前攻克28纳米光刻机的可能性了。
　　真正7纳米芯片的工艺问题是代工厂的责任，探索台积电已经走过的技术路线，用浸入式ArF光源的DUV光刻机的多次曝光工艺来生产7纳米芯片。这就不是我们今天讨论的关键了。
　　很显然，2021年就不用指望了。因为上海微电子的28纳米光刻机没有达到合格标准，需要2022年继续努力了。但即便2022年这台光刻机达到了标准，获得了通过，也还有一个严峻的问题摆在了上海微电子面前。那就是浸入式ArF光源的问题。现在这台样机的光源，用的是日本进口的浸入式ArF光源。那么，在日后量产的时候，这个光源能不能稳定供货就是一个重大问题了。国内光源提供商＂科益虹源＂，已经拿出来了40w 4kHz ArF光源的样机，但主流的ArF浸没式光刻机需要60w 6kHz等级的光源，所以也就是说国内的光源目前还没办法代替进口光源了。
　　至此，这台上海微电子的样机能不能变成批量生产的产品就非常不确定了，因为关键子系统还处于攻关当中，无法确认研发出子系统的时间节点。
　　也就是说，现在上海微电子的这台28纳米光刻机，就是走的歼20路子。时间不等人，歼20就不等涡扇15发动机了，先用进口的俄罗斯AL-31F发动机顶上用着。现在上海微电子可不就是先用日本光源顶上用着嘛。至于中国自己的光源，就等着啥时候能研发出来吧。
　　以目前的国际大环境，歼20如果还想用俄罗斯发动机，就还是能找到货源的。但中国如果想获得一个稳定的浸入式ArF光源的难度有多大？我想大家都明白。所以，这个浸入式ArF光源的紧迫性，甚至远远超过对涡扇15的需求，就肯定没错了。
　　也就是说，哪怕2022年，上海微电子攻克了这个28纳米光刻机技术，但横在量产前面的光源问题，能不能在2025年前解决呢？我想没人知道吧。现在科益虹源的官网网站都打不开了，所以没人知道他们的进展如何了，现在网上真是一个字儿都没有。
　　所以，说什么上海能不能在2025年前攻克7纳米光刻机，仅仅一个光源问题就说明了一切。
　　28纳米的duv都没搞定呢，不可能3年就突破到euv光刻机。
　　28nm都还没有突破，要突破7nm前要先突破14nm。7nm的研制应该都还没有开始。
　　不能，现在出货的是测封光刻机，后处理的，前处理的光刻机还不能应用
　　2030年搞定就是奇迹，拧紧原来02专项，2020搞定，DUV现在马上2022年DUV影子还没有，
　　按照目前这个进度完全有可能了，我们团队已经克服了光刻机最难得技术光源，和双工件台技术，光学镜头。
　　沒有可能性，正如c919一樣，都停留在嘴上，少說多做吧