可能对于很多朋友来说，你那台采用14纳米工艺的电脑CPU还在工作着，但现在芯片已经开始迈向2纳米。 在芯片的制造工艺上，似乎芯片制造商并没有选择停下脚步，近日台积电方面就表示，其2纳米工艺将会在2024年实现试产，在2025年实现量产。 但了解芯片发展的朋友都知悉，现在所谓的2纳米，包括3纳米、5纳米、7纳米等，都只是一个＂文字游戏＂，即该数字已经不再代表特征尺寸，仅是一个工艺代号。 具体来说，从10纳米开始，这种工艺代号形式的制造工艺就已经在业内出现，ASML方面也承认了这种现象。 所以我们看到，虽然台积电号称2025年量产2纳米工艺芯片，但是在密度方面，仅比3纳米提升了10%，这已经远远达不到摩尔定律的要求。 而芯片密度的大幅降低，就直接影响到芯片的性能，所以台积电也表示，其2纳米工艺的芯片，性能只能提升10%，最多也就是15%。 了解超频的爱好者应该知道，与其如此，其实还不如超频来的直接，因为10%的性能提升，对于超频来说要显得更容易，而且几乎零成本。 所以台积电在2025年量产的2纳米，并不像其数字所显示的那样令人兴奋，然而几乎同时，中科院方面也传出了新消息。 中科院微电子所方面官方宣布，其实现了性能优异的双栅a-IGZO短沟道晶体管。 相信很多朋友对此不是很理解，这样的技术具备什么样的作用呢？ 简单来说，当下芯片制造技术的推进，终极目的就是为了提升晶体管的集成度，也就是密度，但是因为短沟道效应，所以一直难以推进。 而a-IGZO材料是三维集成的最佳候选沟道材料之一，三维集成技术的本质，就是为提高晶体管在芯片上的集成密度。 所以中科院此次的技术进展，实际上相当于在一定程度上，解决了高密度集成的问题。 目前台积电的3纳米工艺已经研发完成，正在开发的则是2纳米，而该所谓的2纳米，我们上文中也提到，密度提升只有可怜的10%，因此有网友表示，台积电的2纳米是不是很需要呢？ 应该说，起码是有这方面的需求的，因此也有业内人士指出，台积电会不会要合作呢？ 很显然，对于台积电来说，合作的好处是显而易见的，因为台积电并非没有竞争对手，例如三星，目前也已经具备了量产3纳米工艺的实力，而且也在研发2纳米等更先进的技术。 还有英特尔，目前英特尔已经将芯片代工作为一个独立的业务，而且在投资上，并不输于台积电，甚至率先拿到ASML的下一代EUV光刻机产能，并计划在2024年实现1.8纳米工艺。 所以如果台积电选择与中科院合作，最终实现在2纳米工艺的密度上大幅增长，那么无疑将会建立明显的技术优势，像三星、英特尔将很难追赶台积电的步伐。 尤其是在2纳米上，台积电是首次采用GAA工艺，而三星已经在3纳米上采用了GAA工艺，因此三星的经验要比台积电更多一些，这些都是台积电潜在的不利因素。 目前中科院的这一成果已经入选2022 VLSI，同时入选了demon session，所以业界还是非常认可的。 那么对此大家怎么看呢？欢迎留言、点赞、转发。