第三代半导体产业巨头即将上市

　　行业一哥即将上市
　　事件一：12月30日盘后，上海市经济和信息化委员会印发《上海市电子信息产业发展＂十四五＂规划》。规划提到，聚焦前沿领域，前瞻布局关键技术研发，夯实共性基础技术发展能力。关于第三代半导体，开展关键材料设计与制备工艺攻关，加速第三代半导体射频和功率器件等对传统硅器件的替代。
　　事件二：12月31日（明天），第三代半导体公司天岳先进将开始网上申购，公司募投建设6寸导电型衬底厂，一期产能30万片。公司发行价格为82.79元/股，发行市值355.76亿。
　　1、从质地和市场地位看，公司具有稀缺性。
　　公司是国内碳化硅衬底领军企业，较早在国内实现了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产业化，2020年全球市占率30%，排名第三，并完成了6英寸导电型碳化硅衬底的研发，开始小批量出货。当前公司有长晶炉585台，产能利用率100%，晶棒良率50%，衬底良率75%。
　　衬底是碳化硅生产过程中难度最高的环节，其中半绝缘衬底难度要高于导电型衬底。在国外对半绝缘技术禁运的情况下，公司拥有完全自主的知识产权，打破国外封锁。
　　在技术参数上，公司与全球头部企业的同尺寸产品不存在明显差距，但在量产能力和大尺寸产品供应上，公司与科锐等仍有差距，目前全球只有科锐和 II-VI 有8英寸样片，公司预计2022年研发出8英寸样片。
　　2、公司营收稳步增长，毛利率高于可比公司均值。
　　财务方面，公司2018-21H1营收分别为1.4/2.7/4.2/2.5亿元，毛利率分别为25.6%/37.7%/35.3%/40.0%，净利润分别为-0.42/-2.0/-6.4/0.48亿元，扣非净利润分别为-0.53/0.05/0.23/0.23亿元。公司在招股书中预计2021年全年实现营收4.7-5.1亿元，净利润0.7-1.1亿元。
　　3、估值上看，按发行市值计算公司2021年市盈率395.3倍，市销率72.6倍。
　　根据公司在招股书中预计的2021年全年营收4.7-5.1亿元和净利润0.7-1.1亿元，以及发行市值355.76亿，取均值计算得到2021年市盈率395.3倍，市销率72.6倍。全球碳化硅领军公司科锐（美股）2021财年营收5.26亿美元，净利润亏损5.24亿美元，当前市值对应2021年市销率为24倍。
　　4、行业上看，以碳化硅为代表的第三代半导体处于放量前夕。
　　随着电动汽车、射频、工业和能源等下游行业快速发展，第三代半导体处于放量前夕。相较于传统硅基功率半导体，碳化硅产品理论性能优势明显，能降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。800V高压逐渐成为新能源车快充的最佳解决方案，碳化硅的高压特性优于IGBT，800V电压快充有望加速碳化硅渗透，天岳先进上市有望带动碳化硅整体发展。 第三代半导体行业
　　后摩尔时代，以碳化硅为代表的第三代半导体是继续提升集成电路性能的重要途径；随着成本下降，第三代半导体放量在即。
　　今年5月14日，国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议，专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术包括先进封装、第三代半导体、石墨烯材料、RSIC-V架构、量子计算等，是继续提升集成电路性能的重要途径，中国有望把握机会实现弯道超车。
　　第三代半导体是以碳化硅(SiC) 、氮化镓(GaN) 为主的宽禁带半导体材料，具有抗高温、高功率、高压、高频以及高辐射等特性，相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失，同时使装备体积减小75%以上。
　　随着5G、新能源汽车等新市场出现，硅基半导体的性能已无法完全满足需求，SiC和GaN的优势被放大。另外，制备技术进步使得SiC与GaN器件成本不断下降， SiC和GaN的性价比优势将充分显现，第三代半导体的时代即将到来。
　　其中，SiC常被用于功率器件，适用于600V下的高压场景，广泛应用于光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等于电力电子领域。预计到2023年，SiC功率器件的市场规模将超过15亿美元，年复合增长率为31%。目前，美国Cree占据62%的全球市场份额，国内已实现4英寸量产，6英寸的研发也已经完成。
　　去年以来，碳化硅引发了车企的重视和布局。特斯拉在2016年就率先在Model 3上使用意法半导体的碳化硅（SiC）模组，比亚迪在汉EV车型已经开始使用自主研发的SiC MOSFET；此前，蔚来宣布第二代碳化硅电驱动系统将于2021年底实现量产，搭载在蔚来ET7同步交付；吉利表示采用了基于SiC功率器件的控制器，预计将于2023年量产；10月24日，小鹏汽车发布了国内首个量产的800V高压SiC平台，可实现充电5分钟最高补充续航200公里。其他车企包括通用、丰田、大众、长安等都提出了相关的碳化硅应用规划。
　　国内核心公司方面，华润微已发布并量产6英寸650V、1200V SiC BS系列产品，并且已完成新一代SiC BS产品设计、工艺开发和样品产出；闻泰科技的碳化硅产品第一批晶圆和样品已交付，有望在2021年底到2022年开始量产；露笑科技掌握了制造SiC长晶炉的核心技术，合肥露笑半导体项目总投资100亿元，一期产能规划为24万片导电型6英寸碳化硅衬底和5万片外延片，全部达产后将年产10万片8英寸外延片和15万片8英寸衬底片。
　　此外，新进入者如东尼电子、凤凰光学等在今年开始布局碳化硅。东尼电子在2021年5月18日公告，拟定增募资4.67亿元，其中3.27亿元投资于年产12万片碳化硅半导体材料项目；9月22日，凤凰光学发布公告并购中国电科旗下半导体外延材料厂商普兴电子、国盛电子，普兴电子新建年产36万片6寸SiC外延片项目，预计22年9月投产，国盛电子SiC外延片项目规划年产24万片，凤凰光学有望成为全国最大SiC外延片厂。