大改命名规则，英特尔制程工艺官方解析半导体的埃米时代

　　IT之家7月27日消息今日，英特尔公布了其有史以来最详细的制程技术路线图之一，展示了从现在到2025年乃至未来，驱动新产品开发的技术。
　　目前，英特尔官方公布资料介绍了实现此路线图技术的关键细节，并解释了新的节点命名方法背后的依据。
　　以下是英特尔制程技术路线图、实现每个节点的技术以及新节点命名的详细信息：
　　Intel7（此前称之为10纳米EnhancedSuperFin）
　　通过FinFET晶体管优化，每瓦性能比英特尔10纳米SuperFin提升约1015，优化方面包括更高应变性能、更低电阻的材料、新型高密度蚀刻技术、流线型结构，以及更高的金属堆栈实现布线优化。Intel7将在这些产品中亮相：于2021年推出的面向客户端的AlderLake，以及预计将于2022年第一季度投产的面向数据中心的SapphireRapids。
　　Intel4（此前称之为Intel7纳米）
　　与Intel7相比，Intel4的每瓦性能提高了约20，它是首个完全采用EUV光刻技术的英特尔FinFET节点，EUV采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将13。5纳米波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。相较于之前使用波长为193纳米的光源的技术，这是巨大的进步。Intel4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的MeteorLake和面向数据中心的GraniteRapids。
　　Intel3
　　Intel3将继续获益于FinFET，较之Intel4，Intel3将在每瓦性能上实现约18的提升。这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。Intel3实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel4相比，Intel3在更多工序中增加了EUV的使用。Intel3将于2023年下半年开始生产相关产品。
　　Intel20A
　　PowerVia和RibbonFET这两项突破性技术开启了埃米时代。PowerVia是英特尔独有、业界首个背面电能传输网络，它消除晶圆正面的供电布线需求，优化信号布线，同时减少下垂和降低干扰。RibbonFET是英特尔研发的GateAllAround晶体管，是公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构，提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。Intel20A预计将在2024年推出。命名含义
　　英特尔公司CEO帕特基辛格表示：摩尔定律仍在持续生效。对于未来十年走向超越‘1纳米’节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。我想说，在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，英特尔将持续利用硅的神奇力量不断推进创新。
　　数十年来，制程工艺节点的名称与晶体管的栅极长度相对应。虽然业界多年前不再遵守这种命名法，但英特尔一直沿用这种历史模式，即使用反映尺寸单位（如纳米）的递减数字来为节点命名。
　　如今，整个行业使用着各不相同的制程节点命名和编号方案，这些多样的方案既不再指代任何具体的度量方法，也无法全面展现如何实现能效和性能的最佳平衡。
　　在披露制程工艺路线图时，英特尔引入了基于关键技术参数包括性能、功耗和面积等的新命名体系。从上一个节点到下一个节点命名的数字递减，反映了对这些关键参数改进的整体评估。
　　随着行业越来越接近1纳米节点，英特尔改变命名方式，以更好地反映全新的创新时代。具体而言，在Intel3之后的下一个节点将被命名为Intel20A，这一命名反映了向新时代的过渡，即工程师在原子水平上制造器件和材料的时代半导体的埃米时代。