阿斯麦CEO担心我国3年后造出光刻机！实际进度或更快

　　引言
　　5月25日， 2021数博会——第五届大数据科学与工程国际会议在贵阳举行。中国工程院院士吴汉明在会议上发言称，EUV光刻机是一个全球化的结晶，如果让一个国家或者一个地区做一个光刻机是不现实的。 然而，世界上唯一的高端光刻机制造商荷兰阿斯麦（ASML）的CEO却曾担心，如果因美国的出口新规而停止对华出口光刻机，大概3年后，中国自己就会掌握这个技术。
　　吴汉明院士那么吴汉明院士和ASML总裁谁的观点才是正确的呢？
　　事实上，他们两个人的观点都没有错！别急，接下来的分析会让你豁然开朗。
　　一台最高端的EUV光刻机大概需要十万多个零部件，超过全球5000家供应商，以及通过全世界的顶尖技术集成才能做出来。在所有零部件当中，荷兰腔体部件和英国真空部件占了32%，美国光源占了27%，德国光学系统占了14%，日本的关键材料占了27%。据了解，目前没有任何一个国家能够单独造出EUV光刻机，即便是中端光刻机（DUVi）也做不到。
　　EUV光刻机
　　在没有限制的情况下，全世界能造原子弹的国家超过10个，能造氢弹的国家也至少有5个。然而却没有一个国家能造出高端光刻机，即便是美国也做不到。由此可见，光刻机的研制难度远超研制原子弹和氢弹。事实上，DUVi光刻机和EUV光刻机都是集全人类智慧的结晶。其中不少零部件精度要求都达到纳米级别的水平，相比之下，高端机床精度也只能亚微米级别。由于中端、高端光刻机太过于精密，即便是整机调试也要花费几个月甚至几年时间才行！可想而知，光刻机的研制难度究竟有多大！
　　既然难度如此之大，那是否意味着我国短期内造不出中端、高端光刻机呢？
　　那倒也不是，实际上，我国的DUVi光刻机已经快要成功了，EUV光刻机也很可能在2024年之前造出来！
　　1、国产DUVi光刻机进展。
　　2020年12月7日，有国内媒体报道称，我国知名半导体设备制造商——上海微电子设备公司（ SMEE）采用国产以及日本零部件研发的28nm第二代深紫外（DUV）光刻机有望在2021年4季度实现交付。
　　事实上，早在2019年11月13日，江苏省开发区协会就曾发布了一篇透露DUVi光刻机进展的新闻。文章称2020年28纳米国产光刻机将完成整机集成。
　　江苏省开发区协会官方网站发布的新闻
　　还有很多消息人士也透露过我国DUVi光刻机的进展，就不一一说明了。
　　业界专家预计，最快今年国产DUVi光刻机就将完成调试并交付，最晚2022年也能交付使用。
　　2、国产EUV光刻机进展。
　　EUV光刻机是用于制造7纳米及更先进制程芯片的光刻机，早在2017年，我国就突破了关键技术。
　　2017年《中国科学报》发布了一篇名为《＂极紫外光刻关键技术研究＂通过验收》的消息。这说明我国已经突破EUV光刻机关键技术，距离造出整机已经不远了。
　　2017年7月的官方报道
　　以世界唯一的高端光刻机制造商荷兰阿斯麦的EUV光刻机研制进度为例。
　　2006年推出了第一台EUVL产业化试验样机ADT（ALpha Demo Too1)，其NA为0.25，获得了32 mn的分辨率；2010年，通过升级光刻平台至TWINS CAN NXE，降低系统杂散光(Flare)，优化照明参数等，成功研制NXE 3100，实现了27nm的分辨率，并通过提高光源能量，使产量达到60WPH；2012年研制的NXE3300B将物镜NA大至0.32，并采用高效率环形照明系统，进一步提高产率，实现了22nm线条的曝光，2013年NXE3300B的研制使NA增大至0.33·并预设六种不同的照明方式，使分辨率提高到18/16nm 。
　　简单计算得知，荷兰阿斯麦的EUV光刻机从突破关键技术到造出实用化的光刻机总计耗时7年时间。通常情况下，追赶者拥有探路者没有的后发优势，在研发投资源得到充分保障的情况下，可以用更短的时间造出同样的装备。按照2017年我国突破EUV关键技术计算，不出意外的话，最晚到2024年我国就能造出实用化的国产EUV光刻机。 据了解，我国已公开宣布，研制光刻机采用挂帅揭牌的形式推进，研发进度更快了。最终我国很可能在2023年，甚至2022年就造出实用化的EUV光刻机！
　　通过上述介绍，我们发现，荷兰高端光刻机制造商阿斯麦CEO担心我国三年后掌握光刻机技术还是挺靠谱的！
　　采用EUV光刻机5纳米光刻工艺制造的华为麒麟9000芯片
　　美国都无法单独造出EUV光刻机，难道我国又开挂了，竟然比美国还要厉害？
　　在芯片制造领域，我国是后来者，中间中段20年没有持续研发光刻机，说领先美国或者弯道超车，估计连我们自己人都不信。事实上，即便我们能在2022年、2024年按时造出DUVi光刻机、EUV光刻机，也还是离不开进口零部件。
　　如此看来，阿斯麦CEO的担心还是挺靠谱的，而吴汉明院士的说法也并非危言耸听。 那么，这是否意味着我国正在研制的国产中高端光刻机随时可能被外国供应商断供零部件呢？
　　其实也不是。
　　虽然EUV光刻机所需零部件众多，而且除了关键核心零部件之外，我国还有大量非核心零部件造不出来。然而，只要我国能够自行制造关键核心零部件，就不用担心非核心零部件断供导致我国光刻机无法生产。
　　主要原因如下：
　　1、只有DUVi、EUV光刻机关键核心零部件买不到，其他非核心零部件大多有多家外国企业能够制造并供货，并不稀缺。
　　举个例子，部分机床加工刀具我国暂时造不出来，但是却能够从多个国家进口，例如从日本、德国、瑞士进口。EUV光刻机非核心零部件也是如此。
　　2、DUVi、EUV光刻机非核心零部件数量众多，即使反华势力想要断供，一时半会也搞不清哪些零部件我国造不出来。
　　EUV光刻机非核心零部件中很大一部分我国都能自行制造，只有小部分我国造不出来，但是反华势力根本搞不清楚我国到底有哪些零部件造不出来。即便他们对我国国内所有光刻机零部件供应商均断供也没用，因为我国随时可以通过＂皮包公司＂或者其他公司的名义购买。
　　举个例子，家用轿车需要轴承，皮卡车、SUV也同样需要轴承。即便家用轿车被断供轴承，我们也可以皮卡车、SUV的名义寻求购买轴承。同理，除非所有发达国家均不和我们做生意，否则根本无法阻止我国购买我国暂时造不出的EUV光刻机非核心零部件。
　　3、即便个别DUVi、EUV光刻机非核心零部件因断供无法获取，其突击研制速度也很快，并不会耽误很长时间。
　　以光刻胶为例。业内人士介绍，实际上光刻胶研制难度并没有外行人想象的那么大。光刻胶的成分也就哪几种，无非就是多试验。想要快速研制出来，可以短时间高强度投入，同时测试很多种配比和原料调配次序，很快就能找到制造方法。前两年，我国连KrF光刻胶都无法自行制造，如今我们的国产ArF光刻胶都已经通过测试了。
　　2020年12月18日证券时报的报道
　　这就好比，我们可以从国外购买我国暂时造不出的机床加工刀具，用来加工任何产品，哪怕是军用产品，但是外国供应商却不敢断供。因为即便断供，我们也能很快研制出来，只是需要花费大量资源而已。到时候，他们就彻底失去我国这个大市场，得不偿失。
　　事实上，只要突破研制难度很大关键核心技术，我国就能造出国产DUVi、EUV光刻机。如果非要强调所有零部件全部国产化，那就会造成国产DUVi、EUV光刻机迟迟无法下线，而且还需要多付出很多研制成本、研发力量。这无疑是吃力不讨好的事，而且也没必要。只要造出光刻机，我国的芯片产业就不用受制于人！
　　众所周知，全球芯片制造十分依赖美国技术，我国也不例外。经过努力，我国芯片制程工艺已经发展到7纳米的水平，但还是离不开美国技术。
　　依靠纯国产技术，我国只能做到90纳米级别。然而，这并不意味着我们的芯片生产线国产设备只能支持到90纳米制程级别。实际上，我国的不少芯片制造环节已经可以支持到14纳米甚至7纳米级别了！据统计，对于28纳米制程芯片生产线设备，除光刻机之外的少数材料和设备，我国都已经有国产化替代品。
　　芯片制造光刻工序
　　如果能造出光刻机，我国也就能建成纯国产28纳米制程芯片生产线了，而且仅需通过简单升级，我国就能在短时间内造出14纳米甚至7纳米制程芯片！
　　由此可见，中端、高端光刻机对我国来说就是制约半导体发展的最大拦路虎！如果能够造出中端、高端光刻机，也就没有国家敢肆意妄为了！
　　对此，你怎么看呢？欢迎共同探讨。