德国于利希研究中心、意大利米兰理工大学合作,研制出一种双波段红外探测器。 随着无人系统、物联网传感器的广泛应用,对高性能多波段探测器的需求越来越强。这里,研究人员制成工作在近红外、短波红外的双波段探测器。该探测器由垂直堆叠的GeSn/Ge和Ge/Si光电二极管构成,集成在200mm直径的硅衬底上。异质结构采用减压化学气相沉积法制备。两个光电二极管共享p型Ge层,n型GeSn和Si层分别作为顶部和底部。该探测器在正偏压下,Ge/Si二极管工作,探测近红外光,负偏压下GeSn/Ge二极管工作,探测短波红外。探测器典型暗电流为2.5mA/cm2,与类似的GeSn光电探测器相当。近红外和短波红外的比探测率分别为1.9 1010、4.0 109 cm Hz1/2 W-1。 这种双波段红外探测器具有优异的性能,可媲美单波段探测器,有望广泛用于各种机器视觉系统。 论文:CMOS-Compatible Bias-Tunable Dual-Band Detector Based on GeSn/Ge/Si Coupled Photodiodes