引言 LED器件发出的光子往往会被氧化铟锡 (ITO)透明电极与空气 /树脂界面的全内反射 (TIR)捕获在 LED芯片内，导致光提取效率较低。通过在氧化铟锡电极表面上形成纳米尺度的图案，可以有效地降低该界面处的全内反射，该图案的尺寸小于发射光的波长，以允许更多的光从发光二极管发射出去。 我们提出了一种双层透明氧化铟锡 (ITO)顶部电极方案，并演示了 GaN基发光二极管光输出功率的提高。所提出的双层结构由具有随机分布的球形纳米图案的层和预退火底层组成，所述随机分布的球形纳米图案仅通过无掩模湿法蚀刻工艺获得，所述预退火底层用于保持电极的电流扩散。观察到表面形貌和光电性能取决于蚀刻持续时间。该电极显著提高了氮化镓基发光二极管的光输出功率，增强因子为 2.18在 100毫安时，与参考发光二极管相比，电气性能没有下降。 实验 为了比较本方法中的光提取效率，我们制备了具有如下三种类型 ITO电极的发光二极管： (1)初始厚度为 400纳米的单层电极 (表示为 SL400)； (2)初始厚度为 800纳米的单层电极 (表示为 SL800)；（ 3）双层电极，具有初始厚度为 400纳米的顶层和初始厚度为 400纳米的底层 (表示为 DL400(顶部 )/400(底部 ))。双层纳米结构氧化铟锡电极 (DL400/400)通过首先沉积 400纳米厚的底部氧化铟锡层，然后在空气中于 600 退火 1分钟来制造，使得该层能够抵抗后续的湿法蚀刻工艺。厚度为 400纳米的第二氧化铟锡层沉积在退火的氧化铟锡层上。纳米结构的氧化铟锡层是通过将沉积的第二氧化铟锡层浸入用去离子水稀释 (1 6)的缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE)溶液中而形成的。通过在 BOE溶液中蚀刻 0、 20、 40、 60、 90和 120秒来控制表面纳米结构，以观察电极形态的演变。蚀刻后，氧化铟锡层在空气中于 600 退火 1分钟。对于单层纳米结构的氧化铟锡电极 (SL400和 SL800)，在与双层氧化铟锡顶部电极相同的条件下图案化沉积层和纳米结构表面。 利用金属有机化学气相沉积系统，在蓝宝石衬底上生长了由未掺杂氮化镓、掺硅氮氮化镓、铟镓氮 /氮化镓多量子阱有源层和掺镁磷氮化镓组成的蓝色发光二极管外延层。采用电感耦合等离子体台面刻蚀法制作了 300 300 μ m芯片尺寸的蓝色发光二极管器件。通过电子束蒸发沉积钛 /金 (厚度为 50/200纳米 )层作为 n型电极。 p-GaN层的欧姆接触是通过电子束蒸发将 p-接触透明铜铟氧化物 (3 nm) /ITO电极沉积到 p-GaN上来实现的，并且该膜随后在纯氧环境中在 600 下退火 1分钟。通过电子束蒸发在氧化铟锡透明电极上沉积铬 /金 (50/200纳米 )焊盘电极，完成了发光二极管结构。 结果和讨论 我们已经成功地展示了具有这种双层 ITO电极的超高亮度和稳定开启电压的 ITO/GaN薄膜 LED。图 1示出了具有单层 (图 1(a))和双层 (图 1(b)) ITO电极的发光二极管的示意图。单层和双层设计都具有纳米结构顶层，该顶层通过浸渍湿法蚀刻工艺图案化，以最小化全内反射的光俘获。对于双层氧化铟锡，额外的致密氧化铟锡层被预沉积并在顶部图案化层下方退火，以保持良好的整体面内电子传导。 图 3(a)示出了具有不同浸蚀时间的 SL400、 SL800和 DL400/400电极的薄层电阻。在 60秒的蚀刻时间内， SL400的薄层电阻从 20欧姆 /平方显著增加到 250欧姆 /平方。即使在蚀刻 120秒后，在 SL800中也没有观察到如此巨大的薄层电阻跳跃；薄层电阻保持低至 50欧姆 /平方。这表明 SL400中的大部分 400纳米氧化铟锡层在 60秒后被蚀刻掉，而在 SL800中，有限厚度的氧化铟锡保持未被蚀刻，因此是良好的电流扩散层。另一方面，即使在 120秒的最长蚀刻之后， DL400/400 ITO电极的薄层电阻也仅从 20欧姆 /平方略微增加到 22欧姆 /平方。这些结果证明了氧化铟锡的薄层电阻很大程度上受蚀刻的影响，并且可以通过额外的预沉积和退火底层成功地保持较低，该底层用作有效的电流扩散层。 为了确定有效电流扩散的最佳厚度，我们还研究了底部氧化铟锡厚度对双层电极整体薄层电阻的影响。 由于 BOE溶液在沉积 (非晶 )的顶部氧化铟锡层和退火的底部氧化铟锡 (多晶 )[10]之间具有非常好的蚀刻选择性，所以在湿浸蚀刻之后，底部层被期望保持几乎完整。我们通过制造发光二极管器件和增加 DL400/400电极上的湿浸蚀刻时间来验证这一点，之后我们测量了它们的伏安特性 (图 3(c))，具有浸蚀 ITO电极的 DL400/400发光二极管的 I-V曲线与具有未蚀刻 ITO的发光二极管保持一致，即使在 120秒的最长蚀刻时间之后。这表明退火的底部氧化铟锡在不牺牲器件性能的情况下，对长时间的湿浸蚀具有抵抗力。因此，添加预退火的底部氧化铟锡层是稳定电流扩散的有效方法，并且有助于防止操作期间的电退化。 总结 我们已经展示了双层纳米结构的 ITO透明电极的制造，通过简单的无掩模浸渍湿法蚀刻工艺图案化，有效地提高了氮化镓基蓝色发光二极管的光提取效率。双层氧化铟锡电极的特点是具有优化表面纳米图案的纳米结构顶层，以大大减少发光二极管器件中的光截留，以及充当稳定电流扩散层的致密底层。 DL400/400 ITO电极发光二极管在 100毫安时的光输出功率是参考发光二极管的 2.18倍。图案化层下的密集底部电流扩散层的存在稳定了双层电极的导电，并且没有观察到薄层电阻的显著退化。双层氧化铟锡设计和制造工艺可以有效地提高氮化镓蓝色发光二极管的光提取效率，而不牺牲其电性能。纳米图案化通过 1至 2分钟的可控湿浸蚀时间来完成，并且在高温炉中的退火时间 (1分钟 )比生长纳米线所需的时间短得多，生长纳米线需要在高温下进行数小时的处理。这种简单、低成本和可控的工艺很容易在大规模生产中应用于高亮度蓝光发光二极管，并有可能促进蓝光发光二极管在市场上的推广。
谈古印章天珠的主产地为哈拉帕，哈拉帕可能为中华夏朝。谈谈古印章天珠的主产地为哈拉帕（今印度河流域），哈拉帕为中华夏朝所在地之一。一，夏朝在哈拉帕的有关传说。（依据广百宋斋论）夏朝始祖实沈，根据传说，被帝喾指令迁往大夏，这个大夏仍然是古老滚印起源于两河流域的古老艺术滚印起源于两河流域的古老艺术所谓滚筒印章起源于五千多年前的两河流域，其奇妙之处首先在于能够雕刻复杂的主题，从而在封泥上滚出如史诗画卷般的印迹。滚印材质多变，展现了古人对权力和神性的古印度哈拉帕文明是否是中华夏文明？听听印巴专家的研究古印度哈拉帕文明是否是中华夏文明？哈拉帕系古印度今巴基斯坦，而今巴基斯坦人民脚下的这片土地，则是一块孕育了诸多辉煌古文明的千年沃壤。具有文明史意义的哈拉帕文明便是这些古文明中一个璀稀有陨石碎片降落英国车道，最新研究称可能含有生命成分稀有陨石碎片降落英国车道，最新研究称可能含有生命成分据美国有线电视新闻网（CNN）3月9日报道，当地时间2月28日晚，一颗火球从英国和北欧的天空划过，穿过地球大气层后，其碎片降落在彩虹碧玺是我人间向往，是心之所爱彩虹碧玺我朝你奔赴而来，你就是彩虹。总有一个人，在漫长的人生当中，恰如一颗星辰，带给你前进的方向，为着那点微光和温暖，总有一种梦想，像是彩虹，虽然遥不可及，可是却在遥远的诗和远方，山海经中的一目国独目人，难道他们背后有天外来客？山海经中的一目国独目人，究竟是传说还是现实？难道他们背后有天外来客？一，首先要来了解一下三海经。根据山海经海外北经中的记载一目国在其东，一目中其面而居。而根据山海经大荒北京记载有人哈拉帕文明与夏朝可能有着紧密的联系吗？哈拉帕文明与夏朝可能有着紧密的联系吗？哈拉帕文明位于西亚，也就是亚洲西部地区。根据人们现在发现的，属于哈拉帕文明的众多文物来看，哈拉帕的许多标志和符号有着明显的与东方文化融合的特征高古珠子人类文明远源的向征，西亚珠子极富有古人想象力哈拉帕古珠（古印度）高古珠子人类文明远源的向征，西亚珠子极富有古人想象力高古珠子是人类文化进程中最重要记事传承的一项古人类的传承，是研究历史文化中最直观的感受。成为爱好收藏家佩戴中什么是定向陨石，定向陨石又有哪些特征？什么是定向陨石，定向陨石又有哪些特征？什么是定向陨石，这可能是目前很多陨石爱好者都无法搞清楚的一个概念，那么今天给大家详细的讲解一下定向陨石。陨石在进入大气层后，陨石的降落速度会受中国玉传统文化中的谜案和氏壁及传国玉玺！和氏璧应为陨石中国玉传统文化中的谜案和氏壁及传国玉玺！和氏璧非地球玉，应为陨石。一，和氏璧典故春秋时，楚人卞和在楚山，一说荆山（今湖北南漳县）看见有凤凰栖落在山中的青石板上，依凤凰不落无宝之地之一个人建造于1920年的一个巨石奇迹这是人类最后一个巨石奇迹美国迈阿密南边的珊瑚城堡，一个人建造于1920年代的一个巨石奇迹这是人类最后一个巨石奇迹。珊瑚城堡位于美国佛罗里达州迈阿密南边的霍姆斯泰德镇，是一座供人游览的私人公园，今天依旧在开