MR2A16ACYS35是由256Kx16组织的MRAM系列的4Mb产品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以与富士通4Mb 铁电RAM MB85R4M2T较慢的时序一起运行,但也允许系统设计人员利用MRAM快四倍的随机访问周期时间。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引脚TSOP2和48球BGA封装。everspin代理英尚微电子提供必要的技术支持等解决方案。 MR2A16ACYS35的优点 与富士通铁电存储器相比,升级到Everspin MRAM具有许多优势: •更快的随机访问操作时间 •高可靠性和数据保留 •无限读/写耐久性 •无需担心磨损 •有竞争力的价格 •稳定的制造供应链 •小尺寸BGA封装 封装引脚 MR2A16ACYS35是一个4Mb非易失性MRAM,组织为256kx16,由标称3.3V电源供电,并与FRAM兼容。两款产品均使用标准SRAM并行地址(A0-16)、字节宽双向数据引脚(DQ0-7)和控制信号(/E、/W、/G)。每个都可以由一个公共定时接口支持,并将用作随机存取读/写存储器,在断电时无需外部电池即可保留数据。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。 范围 MB85R4M2TFN-G-JAE2 MR2A16ACYS35 封装 44-Pin TSOP 44-Pin TSOP 尺寸和高度 10.16×18.41×1.2mm 10.16×18.41×1.2mm 引脚排列 参见下面的图1 焊接曲线 根据 JEDEC J-STD-020D.1 表1–概述:MB85R4M2TFN与MR2A16ACYS35 图1–引脚/封装比较和注意事项 Everspin MRAM将提供最具成本效益的非易失性RAM解决方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更简单的1晶体管、1磁隧道结单元构建。简单的Everspin MRAM单元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道结技术进行非易失性存储。数据不会在高温下泄漏,并且没有磨损机制来限制该技术中的读取、写入或电源循环次数。在125℃下,数据保留时间优于20年。