彭博社报道,日本和荷兰加入限芯令行列,建立共同联盟限制中国获得先进光刻机。 这意味着我们不仅无法获得新进的EUV光刻机,就连中高端的DUV光刻机也受到限制。 DUV光刻机可用于10nm45nm的芯片制造,如果受到限制,就意味着成熟工艺的14nm、28nm、45nm芯片全部受到影响。这将对我国的工业、汽车、消费、甚至军工产生很大的影响。 那么问题来了,14nm45nm芯片究竟有多重要?我们如何破解光刻机难题呢?14nm45nm芯片重要性 目前台积电、三星已经量产3nm芯片,那么是不是14nm、28nm、45nm、这类成熟芯片就没用了? 其实并非如此。14nm45nm芯片广泛应用于新能源汽车、自动驾驶、家电、通信等领域,它比7nm以下制程芯片具有更广泛的适用性。 7nm及以下制程的芯片主要应用在智能手机、平板、部分PC(AMD芯片)以及先进的超算。 此外,部分汽车芯片,例如高通8155、吉利龙鹰一号、特斯拉HW3。0等也开始采用7nm及以下制程。 而14nm及以上的芯片广泛应用于航天、工业、大部分汽车、部分消费芯片。根据相关数据,14nm芯片占全部芯片市场的82左右。 航天级芯片 航天级芯片对工艺制程要求较低,但对工作环境、安全性能要求很高。 工作环境要求在55125之间,同时要求芯片具有多重短路保护、多重热保护、超高压保护。 设计时,就要把辅助电路、备份电路、多级防雷、双变压器、抗干扰等功能加入芯片中。 同时要求芯片耐冲击、耐高低温、耐霉菌。这样的芯片自然造价更高、维护费用也极高。 但制程方面基本都在45nm150nm之间、甚至更高制程。 工业级芯片 工业级芯片对工艺制程要求也不高,基本都是28nm以上的成熟工艺。 但要求芯片适应40185的环境,同时要求具有多级防雷设计、双变压器设计、抗干扰设计、短路保护、热保护、超高压保护等。 很多工业设备处在潮湿环境中,因此工业级芯片还要具备防水、防腐、防潮、防霉变、自检功能。 工业级芯片造价同样很高,但它的维护费用相对较低。 车规级芯片 寒冷的冬季户外温度可低至20,汽车长时间行驶后发动机温度达到100以上都是常事。因此车规级芯片要求适应40125的环境。 此外还要求具有多级防雷、双变压器、抗干扰、多重短路保护、多重热保护、超高压保护等功能。 车规级芯片对自检、散热要求更高,同时造价及维护费用也很高。 其实车规级芯片(包括座舱、无人驾驶)14nm制程足够使用,但是台积电为了打压对手,拿到更多的订单,开始将车规级芯片向7nm、甚至5nm迁移。 消费级芯片 消费级芯片要求最低,设计温度为070,要求具有防雷设计、防水设计、短路保护、热保护等。 消费级芯片尤其是手机、电脑对芯片的制程要求要高,目前手机芯片已经迭代到4nm、下半年会出现3nm芯片,电脑芯片也迭代至了7nm。 通过对比,我们可以看出14nm45nm芯片可以满足航天、航空、工业、汽车的应用,而消费级芯片除去旗舰手机、PC外,14nm也可以正常使用。 如果我们能够打造一条纯国产的14nm芯片产业链,不但可以满足我们的需求,还可以极大的压缩对手的芯片空间。 至于部分智能手机、PC需要的7nm以下芯片,可以慢慢迭代。 但是,就在我们着手打造国产芯片产业链时,突然出现了一件棘手的问题光刻机受到限制。先进光刻机被ASML掌控 芯片制造类似于洗照片,不同的是照片是将图像放大,而造芯片是将图像缩小。最大的区别就是造芯片比洗照片难度大多了。 举个例子:让你在一张A4纸上画一个电路图很容易,但画一幅清明上河图呢?难度大多了吧! 那么将清明上河图雕刻在大米粒上呢?那就是不是手工可以做到的,如果这颗米粒在速度为100Kmh的汽车上呢?这就需要光刻机这类精密设备了。 光刻机又名曝光机,是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。 光刻机按用途分为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。前道光刻机主要用于芯片制造,后道光刻机用于封装测试、面板光刻机则用来制造面板。 我们这里主要讨论用于芯片制造的前道光刻机。根据光源前道光刻机分为G线、I线、KrF、ArF、EUV5代: G线、I线属于紫外光源,通过滤波后剩下了其中的G线(436nm)和iI线(365nm) KrF、ArF属于深紫外光源(DUV),KrF采用了248nm光源、ArF采用了193nm光源。 EUV就是极紫外光,波长仅为13。5nm。 其中,EUV光刻机最先进,精密度也最高,价格高达1。2亿美元台。主要用来制造7nm及以下工艺的芯片,市场占有率不足20。 DUV光刻机包括KrF、ArF干式和ArF浸没式,是芯片制造的主力设备,图像传感器、功率IC、MEMS、模拟IC,逻辑IC等都采用DUV光刻机进行生产。 仅是浸没式DUV光刻机就可以制造10nm130nm的芯片,市场占有率达到了62,整个DUV光刻机市场则高达80。 G线、I线逐渐被淘汰,市场占有率一直下滑。 那么这些光刻机都由哪些公司制造的呢? EUV光刻机全部由荷兰ASML制造,仅此一家再无分店。 EUV光刻机技术十分复杂,ASML也仅掌握了其中的10,其余技术和零部件均来自2000多家供应商。 即便是ASML这10的核心技术也不是偶然得来的,它得益于EUVLLC联盟。 EUVLLC联盟包括美国的三家国家实验室(劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室、桑迪亚国家实验室)以及IBM、AMD、摩托罗拉等公司。 ASML加入了EUV联盟后,又收购了美国Brion公司、Cymer公司,才掌握了EUV光源技术。 为了保证零部件的供应,又和德国蔡司、牛津仪器、飞利浦、德国计量研究院等加强合作。 当然,这样一家公司自然少不了美国资本的渗透,甚至英特尔、台积电、三星这些大股东的背后都有美国资本的影子。 ASML还占据了82的DUV光刻机市场,剩余18被尼康、佳能掌控。 DUV光刻机中最关键的就是浸没式ArF光刻机,这款光刻机在双工作台下,多次曝光后可以制造出10nm芯片。 浸没式技术由台积电的林本坚提出。 当时的光刻机龙头是尼康,尼康被卡在了193nm光刻技术上,因为KrF光刻机的光源就是193nm。 此时,林本坚提出用液体替代空气作为介质,理论上可以折射出132nm的光线。但这个方案被尼康拒绝了。而ASML看到了商机,找到了台积电,希望合作,共同打造浸没式光刻机。 2003年,ASML和台积电共同推出第一台浸没式光刻机,直接超越了尼康。 当尼康在2006年推出浸没式光刻机时,ASML和台积电已经合作制造出了45nm芯片,将摩尔定律向前推进了4代。 市场被ASML占据,尼康彻底让出了光刻机龙头的宝座。 直到现在,浸没式光刻机也只有ASML和尼康可以制造,市场上再无第三家。 那么除了荷兰ASML和日本尼康外,我国就没有光刻机企业吗?当然有!上海微电子! 那么上海微电子研发的光刻机是什么水平呢?能否满足日常需求呢?国产光刻机性能如何 目前上海微电子已经制造出了90nm光刻机,这里所说的90nm不是光源的波长,而是这款光刻机可以制造90nm芯片。 上海微电子的90nm光刻机就是SSX60020系列,其采用了四倍缩小的物镜、工艺自适应调焦调平技术、高精度自减震六自由度工件台,可以满足90nm芯片制造。 而ASML的EUV光刻机可以制造3nm芯片,领先上海微电子6代。 90nm芯片根本无法满足我国芯片的日常需求。 抛开智能手机芯片,国产龙芯CPU也需要14nm工艺,车规级、工业级芯片也已经迭代到了28nm,只有航天军工类芯片在90nm制程以上。 一个国家总不能天天造航天芯片,时刻处于战斗准备中吧!工业、汽车、消费类芯片才是真正创造利润的,也是支撑国家发展的中流砥柱。 所以,上海微电子制造的光刻机在工艺制程方面已经严重落后了,更要命的是它的稳定性和生态方面也不行。 芯片投入动辄几亿、十几亿,生产时因为设备不稳定导致批量报废,这任谁也接受不了,所以上海微电子的光刻机仍需要大量时间进行打磨、调教。 光刻机同样需要生态,因为光刻环节还要与涂胶、湿制程、蚀刻、清晰等设备配合,如果不匹配,使用过程将会繁杂几倍。 网上很多消息称,上海微电子已经攻克28nm光刻机,实际上这些消息都夸大其词了。 要知道,上海微电子在2007年就已经研发出了90nm光刻机,但直到2018年才宣布量产。为什么呢?这11年干了些什么工作呢? 当时,90nm光刻机采用了德国蔡司的镜头,然而很快蔡司断供了。没有镜头是无法量产光刻机的,因此只能自主研发。 中科院长春物理所用了11年,研发出了合格的镜头,才让上海微电子能够量产90nm光刻机。 如今,28nm光刻机需要的镜头更加精密,光源系统也更加精密,如果加上双工作台,浸没式系统,那将是巨大的难题。 目前,全世界没有任何一个国家同时突破镜头、光源、工作台、浸没式技术,哪怕是荷兰ASML、日本尼康也要借助外力。 此时,让一个发展中国家独立研发28nm光刻机,可以想象它有多么困难,需要耗费多少人力、物力、财力和时间。 所以,短时间内根本无法突破28nm光刻机技术,即便侥幸突破了,量产、提高稳定性、良品率、打造生态也需要大量时间。写到最后 荷兰、日本加入芯片联盟,对我国在DUV光刻机领域实施封锁,着实令国产芯片压力山大。 但此时,我们绝不能自己泄气、妥协,毕竟光刻机研发再困难,也不至于像上甘岭、长津湖那样惨烈。 但是没有光刻机,未来有一天我们或许会再次面临上甘岭、长津湖那样的惨烈战斗。 所以,从现在起用两弹一星精神去研发光刻机,胜利迟早是属于我们的。 我是科技铭程,欢迎共同讨论!