如果荷兰阿斯麦DUV光刻机也对中国大陆厂商禁售，后果有多严重

　　半导体（俗称芯片）是现代科技的基础，其技术进步和创新将持续推动科技的快速发展和创新。但最近几年来，全世界可说是有目共睹，美国正在费尽心机，不遗余力地阻挡中国大陆的科技进步和创新，特别是半导体已经被美国锁定为了重点打击的行业。业界人士大多认为，不断拉大美国本土与中国大陆在半导体技术方面的差距，才是美国真正想要达成的目标。
　　不久前，很可能是迫于美国的压力，日本、荷兰都已经同意与美国达成新的协议，这无疑是美国限制中国大陆半导体产业发展战略的又一狠招。中国智库安邦就发布报告称，在美国、日本、荷兰达成协议后，对中国大陆半导体产业的出口管制措施将会更加严格，尤其是多边协议更替美国在今后继续扩大限制范围做了铺路事实上，全球其他国家对美国部分限制供应或者完全限制供应，美国半导体产业只依靠自给自足的模式，照样玩不转。
　　美国是全球半导体制造设备领域的领导者，在沉积、蚀刻、制程控制、化学机械研磨和离子注入等多个细分市场上均占据多数份额。许多美国半导体设备制造商，例如应用材料、科林研发、科磊等，都曾向媒体抱怨，美国在2022年10月祭出的全面性单边出口管制，反而给了包括荷兰ASMI（ASMInternational）、日本东京威力科创等海外半导体设备厂商扩大市占率的绝好机会如果应用材料、科林研发、科磊等美国厂商对中国大陆断供半导体设备，那么会有其他国家（地区）的厂商、以及在中国本土的厂商势必逐渐取代美国厂商。而在不是由美国厂商主导的光刻机市场上，确切说是在DUV深紫外光刻机市场上，荷兰阿斯麦，日本尼康、佳能等半导体设备厂商向中国大陆持续正常供货，即使美国依靠自己的力量（总部位于美国本土的半导体设备厂商）实行单边出口管制，也会相对弱化技术限制的影响。
　　以荷兰阿斯麦为例，该公司的光刻机可以分为四个等级：第一等级用于7nm以下工艺的EUV极紫外光刻机、第二等级用于16nm7nm工艺的DUV湿法光刻机、第三等级用于45nm28nm工艺的DUV湿法光刻机、第四等级用于110nm65nm工艺的DUV干法光刻机。美国限制中国大陆半导体产业快速进步的最主要手段，即是半导体设备出口管制。尽管美国、日本、荷兰三边协议如今敲定，将限制中国大陆厂商获得DUV光刻机，但并未正式对外宣布具体的措施，尤其DUV光刻机是一种非常广泛的技术，包括氟化氪（KrF）、干式氟化氩（ArFDry）和浸润式氟化氩（ArFi）光刻机。未来中国大陆半导体厂商究竟还能够获得哪种等级的光刻机设备，外界尚未完全可知。
　　需要指出的是，一方面，尼康曾于1988年发布使用KrF曝光技术的DUV光刻机设备，虽然对量产14nm制程工艺仍然具有某种程度的支持作用，但按理说，美国、日本、荷兰三方最近新敲定的协议限制，应该不会包括这么老旧的技术。另一方面，阿斯麦于2022年发布的最新一代浸润式DUV光刻机，恐怕将是美国锁定禁售中国大陆的重点设备。目前阿斯麦依然宣称，除了EUV光刻机以外，其他业务与中国大陆半导体厂商正常交易。根据阿斯麦财报数据显示，在2021年和2022年，浸润式ArFiDUV光刻机在营收中的贡献度分别高达36和34，EUV光刻机在营收中的贡献度均为46，可想而知，如果浸润式DUV光刻机被禁售中国大陆，那么显然会对阿斯麦的业务带来负面冲击。
　　业界有分析认为，用于16nm14nm及以下的先进制程工艺的光刻机设备，将对中国大陆厂商禁售；而用于45nm28nm成熟制程工艺的光刻机设备，存在被纳入出口管制范围的可能性。一旦用于生产45nm28nm制程工艺的光刻机也被禁售，那么落在该制程工艺区间的芯片，包括很多数字芯片、显示驱动芯片、车规级微控制器图像传感器、小容量存储芯片等，中国大陆厂商短期内将无法扩产，中长期不得不转用DUV干法光刻机，但这样做会带来芯片制造成本上升，市场竞争力下降；或者，今后多数成熟制程工艺芯片也都从国外购买。
　　根据荷兰阿斯麦自己做的市场预估报告，在2025年，悲观预期下，目标是卖出190台干式DUV光刻机、70台浸润式DUV光刻机、53台EUV光刻机、乐观预期下，目标则是卖出290台干式DUV光刻机、87台浸润式DUV光刻机、75台EUV光刻机。
　　知乎上一位自称在台积电工作过，并在半导体行业从业达20年之久的人士认为，EUV光刻机是满产满销，只要阿斯麦完成制造，立马会被台积电、三星、英特尔等三家大厂抢走。但DUV光刻机，尤其是干式DUV光刻机在悲观预期与乐观预期之间的差距有100台之多，主要原因应该就在中国大陆市场。
　　他写道，按照美国的设想，涉及16nm14nm以下先进制程工艺的光刻机设备、全都不能对中国大陆出售。所以阿斯麦预估浸润式DUV光刻机在两种不同预期下的销售量差别很小。据此还可以推断出，阿斯麦似乎希望从45nm制程工艺为起点，对中国大陆厂商禁售DUV光刻机。然而，美国可能想要的是，用于110nm及以下制程工艺的光刻机设备，统统对中国大陆厂商禁售。这就导致了干式DUV光刻机在两种预期下的巨大差距2025年如果该设备能卖中国大陆，销量就有290台；如果不能，销量就只有190台。
　　按照这位半导体资深从业人士的说法，如果110nm到28nm成熟制程工艺，16nm14nm及以下先进制程工艺所需的光刻机设备全部被禁售，对中国大陆半导体芯片产业将是毁灭性打击。
　　对于国产光刻机设备能不能派上用场问题？这位从业人士的回答是：首先，光刻机不是核弹，只分有或者没有两种情况。光刻机开发出来，先得从试验机经过一代一代的改良，最终成为量产机。这样的过程根本不可能秘密进行，因为都是需要与产线相结合的试生产，才能调适与改进。因而国产光刻机的进展情况，对美国来说是完全透明，那种以商业秘密为由不能说纯粹是借口。况且，国产光刻机需要的零部件，大部分依赖进口。零部件同样是以美日厂商供应为主。第二，由上海微电子开发用于号称90nm制程工艺的光刻机（实际只能满足130nm及以上制程工艺），至今没有用于实际量产，也根本不能用于量产，很多关键性的应用数据根本没有；但就是在这样的情况下，又大跃进式地开发可用于28nm制程工艺的浸润式ArFiDUV光刻机。第三，全球任何一家前道半导体设备，都是经过无数顶尖工程师长时间累积经验，在技术上不断改进和优化才有的结果。
　　这位行业人士表示，即便是最乐观的估计，用于28nm制程工艺的半导体设备，包括光刻机、刻蚀机等全部实现国产化，并达到晶圆厂量产的标准，用6年左右完成就是奇迹。此外，还要考虑到，等到那个时候，诸如量子计算实现商用，通用人工智能AI广泛普及，等等，用28nm及以上成熟制程工艺生产的芯片，还能有多大作用！
　　总而言之，国产半导体需要奋发努力，一方面要自主研发、攻关克难，开发出来的半导体设备必须要能够投入到生产线，以便不断改进和优化；另一方面应该与全球其他国家（地区）的厂商展开各种方式、不同层次的合作，千万不要完全靠自己闭门造车。