IT之家3月18日消息,SK海力士(SKHynix)近日宣布第八代3DNAND的详细信息,堆叠层数超过300层,预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。 IT之家从SK海力士官方公告中获悉,第8代3DNAND堆叠成熟超过300层,容量为1Tb(128GB),具有三级单元和超过20Gbmm2的位密度(bitdensity)。 该芯片的页容量(pagesize)为16KB,拥有4个planes,接口传输速度为2400MTs,最高吞吐量为194MBs(比第7代238层3DNAND快18)。 新NAND的位密度增加近一倍,意味着将显着提高新制造节点的每晶圆生产率,也将降低SK海力士的成本,只是尚不清楚具体程度。