近日,据外媒消息,三星将于2月2日凌晨发布GalaxyS23系列旗舰手机,更多细节已经出现。 此前爆料图片显示,三星GalaxyS23系列使用了LPDDR5内存,这也用于GalaxyS21系列和GalaxyS22系列。然而,事实并非如此。爆料人士IceUniverse已确认三星GalaxyS23、GalaxyS23和GalaxyS23Ultra将使用更快的LPDDR5X内存和UFS4。0存储。 下面是三星GalaxyS23系列存储配置: GalaxyS23:8GB128GB、8GB256GB GalaxyS23:8GB256GB、8GB512GB GalaxyS23Ultra:8GB256GB、12GB512GB、12GB1TB 据了解,LPDDR5X内存是最新的低功耗内存标准,用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑,支持高达8533Mbps的数据传输速度,比最快的LPDDR5内存快33。UFS4。0存储芯片提供高达4200MBs的顺序数据读取速度和高达2800MBs的顺序写入速度。这是UFS3。1存储速度的两倍,后者提供高达2100MBs的顺序读取速度和高达1200MBs的顺序写入速度。 新一代芯片(骁龙8Gen2ForGalaxy)、新内存(LPDDR5X)和新存储(UFS4。0)的组合将为三星GalaxyS23系列带来巨大的性能提升,预计将体现在手机启动速度、应用程序和游戏启动、多任务处理和游戏运行方面。