挑战极限!台积电2nm预计2025年量产
随着近日最新出产的高性能芯片大量使用4nm工艺,不少厂商的3nm制程工艺的产品也被提上日程,正式进入到了测试阶段,也预计将在2023年年末就会看到3nm制程的产品面向市场。
就在近日,据相关媒体报道,晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产,并且就现在的进度来看,有望领先其竞争对手三星和英特尔。
据报道可知,台积电先进制程进展顺利,3nm将在今年下半年量产,升级版3nm(N3E)制程将于3nm量产一年后量产,即2023年量产,2nm预计于2025年量产。
台积电2nm首次采用纳米片架构,相较N3E制程,在相同功耗下频率可提升10至15;在相同频率下,功耗降低25至30。
台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调,台积电2nm将会是密度最优、效能最好的技术,并且市场也看好,台积电2nm进度将领先对手三星及英特尔。
据悉,此前消息称,虽然在3nm世代略有保守,但无论如何,鳍片(Fin)宽度都已经接近实际极限,再向下就会遇到瓶颈,所以相关人士预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。
前段时间,三星公布了自家的3nm制程工艺已经达到了可以批量生产的标准,因为三星工艺在骁龙888和骁龙8Gen1两款芯片上的表现并不尽如人意,所以仍有不少相关机构认为台积电的3nm会优于三星工艺,但目前仍处在相关芯片工艺参数爆料阶段,并不能说明最后使用相关工艺的芯片性能有差别。
除台积电和三星外,英特尔也在这两年持续在芯片制造方向持续发力,目前虽然还在使用7nm技术,但据相关消息,英特尔已经在多处建立芯片中心,同样也被爆料将于2025年发布2nm工艺。
作为芯片制造领域目前的极限,2nm工艺可以带来更强的性能和更好的能耗比表现,感兴趣的消费者可以对相关技术工艺报道关注。
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