源杰科技研究报告光芯片国产领军者，产品升级打开广阔空间

　　（报告出品方作者：广发证券，王亮，耿正，谢淑颖）一、公司：国内光芯片领先者，产品优化驱动业绩提升
　　（一）布局：三大产品系列、两大平台、八大技术
　　聚焦光芯片，产品应用于光纤接入、4G5G移动通信网络和数据中心等领域。源杰科技成立于2013年1月，总部位于陕西省西咸新区。公司主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，主要产品包括2。5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列产品等，目前主要应用于光纤接入、4G5G移动通信网络和数据中心等领域。经过多年研发与产业化积累，公司产品最终应用于国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。公司于2022年科创板上市。
　　建立IDM全流程业务体系，形成两大平台八大技术。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。公司形成了掩埋型激光器芯片制造平台脊波导型激光器芯片制造平台两大平台，积累了高速调制激光器芯片技术异质化合物半导体材料对接生长技术小发散角技术等八大技术。
　　产品应用于国内外知名运营商网络。公司已实现向海信宽带、中际旭创、博创科技、铭普光磁等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货，产品用于中兴通讯、诺基亚等国内外大型通讯设备商，并最终应用于中国移动、中国联通、中国电信、ATT等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
　　2。5G、10G芯片实现差异化竞争，25G及更高速率打破国外垄断实现大批量供货。国内光芯片市场中，2。5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；25G及更高速率激光器芯片市场国产化率低，公司凭借核心技术及IDM模式，率先攻克技术难关、打破国外垄断，并实现25G激光器芯片系列产品的大批量供货。
　　（二）业绩：布局持续优化，中高端产品带动收入利润齐升
　　5G推动下2020年起营收大幅增长，盈利能力稳健提升。公司20192021年分别实现营收0。81、2。33、2。32亿元，CAGR达69。24。2020年营收高速增长，主要受益于5G渗透快速提升，公司25G激光器芯片系列产品需求量激增。2021年，全年整体收入较上年度持平。其中，25G激光器芯片系列产品受5G基站建设频段方案调整的影响，出货量较上年度回落。公司10G激光器芯片系列产品销售规模大幅增加，主要系光纤接入市场需求持续推动。2022年前三季度，公司主要产品销售规模保持稳定增长，实现营收1。93亿元，同比增长25。76。
　　分业务看，中高端10G、25G产品占比迅速提升，带动公司业绩增长。公司主要产品为2。5G、10G、25G及更高速率激光器芯片系列产品，2021年占营业收入的比例分别为42。76、41。56、15。62。20182021年，2。5G激光器芯片系列产品收入从0。64亿增至0。99亿元，是公司的主要收入来源之一，呈现稳定增长态势；10G产品收入从0。06亿元增至0。96亿元，CAGR为151。98，整体呈快速增长趋势，占比由9。01增至41。56。20192021年，25G产品收入从0。01亿元增至0。36亿元，CAGR为500。00，占比由0。84增至15。62，2020年25G产品收入快速增长，是公司业绩波动较大的主要原因。公司业务布局持续优化，经营发展趋势良好。
　　中高端产品放量带动公司毛利率攀升。20182022年Q13，公司毛利率由48。61增至62。67，总体呈现上升态势。分产品看，公司25G、10G、2。5G产品毛利率依次递减，2021年三个系列毛利率分别为85。04、74。07、49。24。2020年，随着10G、25G等中高端产品销量大幅增加，高毛利产品带来公司整体毛利率的大幅提高。2021年，受5G基站建设频段方案调整的影响，25G激光器芯片系列产品出货量及价格下降导致公司毛利率略有下降。2022年上半年，数据中心市场的主要客户受疫情影响，采购节奏放缓，使得公司25G激光器芯片产品的收入占比下降，对公司整体毛利率水平略有影响。
　　2020年管理费用率提升主要来自股权激励，销售费用率和财务费用率较低。20182022年Q13，公司期间费用率分别为22。12、31。03、26。85、20。35、22。82，总体保持稳定。公司销售费用占比较低且整体保持稳定，其中质保费、职工薪酬是销售费用的主要构成部分；管理费用主要由职工薪酬、股份支付、折旧与摊销、咨询服务费等构成，2020年管理费用增长较多，主要系当年因员工股权激励计提0。27亿元股份支付费用；财务费用率整体较低。
　　拓展数据中心25G产品，加大新产品研发力度。公司研发费用主要由材料费用、职工薪酬、研发测试费等构成，公司持续投入新产品开发，实现25G激光器芯片系列产品的量产，在国内5G移动通信市场占据了一定的市场份额。在5G基站建设节奏变动的情况下，公司积极拓展并实现了数据中心25G产品的规模化销售，保持25G产品在国内市场的领先地位。同时，公司加大了更高速率、更先进的50GPAM4、硅光等新产品的研发工作，并已进入设计、测试阶段，预计未来实现量产后将会为公司带来更多的收益。净利润方面，公司近年来归母净利润总体呈上升态势，2021年归母净利润0。95亿元，同比增长20。85，2022Q13归母净利润0。74亿元，同比增长22。98。
　　（三）管理：股权结构较分散，管理层大多具备专业背景
　　股权结构较为分散，实际控制人合计控制37。86股权。截至2022年12月，公司共有33名股东，股权结构较为分散。控股股东和实际控制人ZHANGXINGANG直接持有公司16。77的股权，并通过员工持股平台欣芯聚源间接控制公司2。00的股权，并与张欣颖、秦卫星、秦燕生签署《一致行动协议》，合计控制公司37。86的股权，拥有较高比例表决权。此外，华为的哈勃投资2020年被引入公司，并持有公司4。36的股权。除ZHANGXINGANG、秦燕生、秦卫星，公司其他持股5以上的股东与ZHANGXINGANG实际控制的公司股份比例有较大差距，且其他持股5以上股东均已出具书面承诺，不谋求公司的实际控制权，为公司的长远稳定发展奠定基础。
　　管理层专业背景深厚，产业经验丰富。公司董事长、总经理ZHANGXINGANG本科毕业于清华大学，博士毕业于南加州大学材料科学专业，曾担任Luminent研发员、研发经理，SourcePhotonics研发总监；公司副总经理陈文君硕士毕业于华中科技大学光学工程专业；董事、副总经理潘彦廷博士毕业于国立台湾科技大学电子工程专业，曾担任国立台湾科技大学博士后研究员，索尔思光电公司的研发工程师。
　　二、行业：光通信产业链核心，国产化率有望持续提升
　　（一）光芯片：用于实现光电信号转换，位于光通信产业链上游
　　光芯片是半导体的重要分类。光通信等应用领域中，激光器芯片和探测器芯片合称为光芯片。光芯片是半导体分支下光电子器件的重要组成部分，其技术代表着现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域，其发展对光电子产业及电子信息产业具有重大影响。光芯片实现光电信号转换，对光通信系统的传输效率至关重要。光通信等应用领域中，激光器芯片和探测器芯片合称为光芯片，光芯片可以进一步组装加工成光电子器件，再集成到光通信设备的收发模块实现广泛应用。光通信系统传输信号过程中，发射端通过激光器芯片进行电光转换，将电信号转换为光信号，经过光纤传输至接收端，接收端通过探测器芯片进行光电转换，将光信号转换为电信号。光芯片系实现光电信号转换的基础元件，其性能直接决定了光通信系统的传输效率、传输速度和网络可靠性。
　　按照功能划分，光芯片可分为激光器芯片和探测器芯片。激光器芯片主要用于发射信号，将电信号转化为光信号，探测器芯片主要用于接收信号，将光信号转化为电信号。激光器芯片，按出光结构可进一步分为面发射芯片和边发射芯片，面发射芯片包括VCSEL芯片，边发射芯片包括FP、DFB和EML芯片；探测器芯片，主要有PIN和APD两类。
　　按照原材料划分，光芯片可分为采用InP和GaAs作为衬底材料的芯片。光芯片企业通常采用三五族化合物磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）作为芯片的衬底材料，这些化合物材料具有高频、高低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，符合高频通信的特点，在光通信芯片领域得到重要应用。其中，磷化铟（InP）衬底用于制作FP、DFB、EML边发射激光器芯片和PIN、APD探测器芯片，主要应用于电信、数据中心等中长距离传输；砷化镓（GaAs）衬底用于制作VCSEL面发射激光器芯片，主要应用于数据中心短距离传输、3D感测等领域。
　　按照速率划分，市场上主流光芯片一般为2。5G、10G、25G、50G等。不同应用场景对速率要求不同，越高速率的光芯片在设计和制造难度上越大，参与玩家越少，价格一般越高，盈利空间也越大。我们以源杰科技的数据为例，进入稳态状态后的25G产品价格一般是10G2。5G产品价格的的1。56倍左右。
　　光芯片位于光通信产业上游，并最终应用于电信等市场。从产业链角度看，光芯片与其他基础构件（电芯片、结构件、辅料等）构成光通信产业上游，产业中游为光器件，包括光组件与光模块，组件可分为光无源组件和光有源组件。光无源组件在系统中消耗一定能量，实现光信号的传导、分流、阻挡、过滤等交通功能，主要包括光隔离器、光分路器、光开关、光连接器、光背板等；光有源组件在系统中将光电信号相互转换，实现信号传输的功能，主要包括光发射组件、光接收组件、光调制器等。光芯片加工封装为光发射组件（TOSA）及光接收组件（ROSA），再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块。
　　（二）需求侧：多应用场景推动光模组旺盛需求
　　流量需求快速增长是推动光芯片市场增长的根本动力。随着信息技术的快速发展，全球数据量需求持续增长。根据招股书引用的Omdia数据，2017年至2020年，全球固定网络和移动网络数据量从92万PB增长至217万PB，CAGR达33。1，预计2024年将增长至575万PB，CAGR达27。6。光模块作为光通信产业链最为重要的器件保持持续增长。光电子、云计算技术等不断成熟，将促进更多终端应用需求出现，并对通信技术提出更高的要求。受益于信息应用流量需求的增长和光通信技术的升级，光模块作为光通信产业链最为重要的器件保持持续增长。根据公司招股书引用的LightCounting数据，2016年至2020年，全球光模块市场规模从58。6亿美元增长到66。7亿美元，并预计2025年将继续增长至113亿美元，20202025CAGR达11。2，是未来成长性较好的赛道。
　　拆分其高成长性来源，市场主要系高速率模块下游需求推动。当前光芯片主要应用场景包括光纤接入、4G5G移动通信网络、数据中心等，都处于速率升级、代际更迭的关键窗口期。其较好成长性主要来自于对高速率模块需求。电信市场和数通市场主要增长驱动都来自100G以上高速率模块的增长。根据招股书引用的Omdia数据，2019年至2025年，25G以上速率光模块所使用的光芯片占比逐渐扩大，市场规模主要由高速率光模块拉动。根据LightCounting数据，以2020年光模块67。7亿美金市场为例，主要由4。7亿美金的FTTx光纤接入市场、21。7亿美金的电信移动通信网络市场以及40。3亿美金的数据中心市场构成，就成长性来看，电信侧和数据中心的20202025年的市场成长性较优。因此长期来看，本土光芯片厂商应该朝着高速率应用的数据中心、电信应用突破。
　　具体来看：（1）新代际PON应用：FTTx光纤接入是全球光模块用量最多的场景之一，我国是FTTx市场的主要推动者。目前，全球运营商骨干网和城域网已实现光纤化，部分地区接入网已逐渐向全网光纤化演进。PON（无源光网络）技术是实现FTTx的最佳技术方案之一，PON技术传输容量大，相对成本低，维护简单，有很好的可靠性、稳定性、保密性，已被证明是当前光纤接入中非常经济有效的方式，成为光纤接入技术主流。根据LightCounting的数据，2020年FTTx全球光模块市场出货量约6，289万只，市场规模为4。73亿美元，随着新代际PON的应用逐渐推广，预计至2025年全球FTTx光模块市场出货量将达到9，208万只，CAGR达7。92，市场规模达到6。31亿美元，CAGR达5。93。
　　源杰科技在光纤接入市场较为领先。根据公司招股书和问询函回复披露，2020年，公司凭借2。5G1490nmDFB激光器芯片成为客户A该领域的主要芯片供应商；同时公司的10G1270nmDFB激光器芯片已经在海外10GPON（XGSPON）市场中已实现批量供货，占接近50份额。整体来看，技术和客户方面都较为领先。
　　（2）5G网络建设：5G移动通信网络提供更高的传输速率和更低的时延，各级光传输节点间的光端口速率明显提升，要求光模块能够承载更高的速率。5G移动通信网络可大致分为前传、中传、回传，光模块也可按应用场景分为前传、中回传光模块，前传光模块速率需达到25G，中回传光模块速率则需达到50G100G200G400G，带动25G甚至更高速率光芯片的市场需求。根据LightCounting的数据，全球电信侧光模块市场前传、（中）回传和核心波分市场需求将持续上升，预计到2025年，将分别达到5。88亿美元、2。48亿美元和25。18亿美元。电信市场的持续发展，将带动电信侧光芯片应用需求的增加。
　　（3）数据中心：光通信技术在数据中心领域得到广泛的应用，极大程度提高了其计算能力和数据交换能力。光模块是数据中心内部互连和数据中心相互连接的核心部件。根据LightCounting的数据，2019年全球数据中心光模块市场规模为35。04亿美元，预测至2025年，将增长至73。33亿美元，年均复合增长率为13。09。我国云计算产业持续景气，云计算厂商建设大型及超大型数据中心不断加速。根据中国信通院《2021云计算白皮书》，2020年我国公有云市场规模达到1，277亿元，同比增长85。2，私有云市场规模达到814亿元，同比增长26。1。
　　（三）供给侧：海外厂商主导中高端格局，整体国产化率提升有望
　　海外厂商起步较早、技术领先、布局广泛。光芯片主要使用光电子技术，海外在近代光电子技术起步较早、积累较多，欧美日等发达国家陆续将光子集成产业列入国家发展战略规划。海外光芯片公司拥有先发优势，通过积累核心技术及生产工艺，逐步实现产业闭环，建立起较高的行业壁垒，普遍具有从光芯片、光收发组件、光模块全产业链覆盖能力。除了衬底需要对外采购，海外领先光芯片企业可自行完成芯片设计、晶圆外延等关键工序，可量产25G及以上速率光芯片。此外，海外领先光芯片企业在高端通信激光器领域已经广泛布局，在可调谐激光器、超窄线宽激光器、大功率激光器等领域也已有深厚积累。
　　格局整体呈现中低速率市场充分竞争，中高速率市场海外主导特点。具体来看：（1）2。5G光芯片：我国10G以下芯片自给率高，竞争相对激烈。根据招股书引用的ICC数据，2021年全球2。5G芯片中国厂商占比已经超过90。行业玩家参与较多。公司产品在其中发货量占比为7，发展出了2。5G12701490nmDFB等价值量相对较高的激光器芯片等产品进行差异化竞争，在国内市场具备一定领先地位。
　　（2）10G光芯片：我国光芯片企业已掌握核心技术，正处于快速渗透中。根据ICC数据，中国光芯片企业占比也较高，其中源杰占比20，已超过住友电工、三菱电机等。整体来看，国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力，而光芯片核心的外延技术并不成熟，高端的外延片需向国际外延厂进行采购，限制了高端光芯片的发展。经过多年的发展，我国光芯片企业已基本掌握2。5G和10G光芯片的核心技术，但仍有部分型号产品性能要求高、难度大，实现批量供货的国内厂商数量较少。
　　（3）25G及其以上光芯片：以美日厂商为主，中国厂商快速突破中。25G及以上高速率光芯片方面，我国国产化率低，受到工艺稳定性、可靠性、供货能力及下游客户认证等因素影响，我国的光模块或光器件厂商仍然是优先采购海外的高速率光芯片，尤其在数据中心市场及高速EML激光器芯片等领域，仅少部分厂商实现批量发货。根据招股书引用的ICC数据，2021年全球25G光芯片的国产化率约20，但25G以上光芯片的国产化率仍较低约5，目前仍以海外光芯片厂商为主。随着5G建设推进，我国光芯片厂商在应用于5G基站前传光模块的25GDFB激光器芯片有所突破，数据中心市场光模块企业开始逐步使用国产厂商的25GDFB激光器芯片，根据ICC预测，10G、25G及其以上的中国光芯片在全球光芯片市场中的占比有望在未来几年快速提升。
　　中国光芯片的国产化率能快速提升主要基于以下几点：（1）产业链层面，培育本土供应链愈加重要，下游光模块厂商、通信厂商和数据中心产业快速发展可带动上游国产光芯片厂商发展；（2）政策层面，信息通信行业发展规划引领光芯片需求增长。下游直接客户光模块厂商优势逐渐凸显，带动上游国内光芯片的市场需求。光芯片下游直接客户为光模块厂商，近年来，我国光模块厂商在技术、成本、市场、运营等方面的优势逐渐凸显，占全球光模块市场的份额逐步提升。根据LightCounting的统计，2020年我国厂商中已有中际旭创、华为、海信宽带、光迅科技、新易盛、华工正源进入全球前十大光模块厂商，光通信产业链逐步向国内转移，同时中美贸易摩擦及芯片国产化趋势，将促进产业链上游国内光芯片的市场需求。
　　信息通信行业发展规划引领光芯片需求增长。2021年11月，工信部发布《十四五信息通信行业发展规划》要求全面部署新一代通信网络基础设施，全面推进5G移动通信网络、千兆光纤网络、骨干网、IPv6、移动物联网、卫星通信网络等的建设或升级；统筹优化数据中心布局，构建绿色智能、互通共享的数据与算力设施；积极发展工业互联网和车联网等融合基础设施。《十四五信息通信行业发展规划》指明信息基础设施建设的目标，预计该规划也将不断带来光芯片需求量增长。
　　中国光电子器件产业技术发展路线图对光芯片国产化率提出发展目标。2018年发布的《中国光电子器件产业技术发展路线图（20182022年）》对光芯片国产化提出了明确要求。对于与公司相关的DFB和EML芯片，2022年发展目标中要求10Gbs速率EML芯片的国产化率达到80左右，25Gbs速率EML芯片国产化率达到50左右，50Gbs速率EML芯片达到国产化率20；25Gbs及以上速率DFB（含工温）芯片及器件市场占有率超过60；非气密、高功率DFB激光器芯片及器件市场占有率超过40。2022年6月9日，工业和信息化部电子信息司指导召开《中国光电子器件产业技术发展路线图（20232027年）》编制启动会。
　　三、核心优势：形成两大平台与八大技术，技术深度融合IDM为光芯片保驾护航
　　（一）形成两大平台八大技术，主要产品获行业认可
　　IDM全流程业务体系上形成两大平台八大技术。经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。在此基础上，公司形成了掩埋型激光器芯片制造平台脊波导型激光器芯片制造平台两大平台，积累了高速调制激光器芯片技术异质化合物半导体材料对接生长技术小发散角技术等八大技术。
　　两大平台保障产品，八大技术助力降本增效。公司两大平台积累了大量光芯片工艺制程技术和生产经验，系已有产品生产的保障、未来产品升级及品类拓展的基础。同时，公司突破技术壁垒，积累八大技术，实现激光器芯片的性能优化及成本降低，其中，优化产品性能方面，可实现激光器芯片的高速调制、高可靠性、高信噪比、高电光转换、高耦合效率、抗反射等；降低产品成本方面，可提高激光器芯片的良率，并可简化激光器芯片封装过程中对其他器件的需求，降低产品单位生产成本、下游封装环节的复杂度及对进口组件的依赖，有助于解决大规模光网络部署的供应链安全。
　　外延工艺是晶圆制造乃至光芯片生产核心环节，公司是国内少数能够自主完成外延片设计开发与生产的企业。光芯片生产主要环节为芯片设计、晶圆制造和芯片加工，其中，外延工艺是晶圆制造乃至光芯片生产最主要、技术门槛最高的环节，晶圆工艺技术水平决定了光芯片产品的性能指标及可靠性。国内的光芯片生产商普遍具有除晶圆外延环节之外的后端加工能力，而光芯片核心的外延技术并不成熟，高端的外延片需向国际外延厂进行采购，限制了高端光芯片的发展。公司自成立之初便开始进行外延片设计与技术力开发，是国内少数能够自主完成外延片设计开发与生产的企业，将芯片设计与外延工艺相结合，借助快速研发迭代缩短研发周期，公司于2020年推出应用于硅光子集成的大功率激光器芯片产品。
　　光栅工艺是生产制造中最重要的环节之一，公司掌握电子束光栅工艺与相移光栅技术。光栅工艺是激光器芯片生产制造中最重要的环节之一，其主要制造出分布式光栅结构，最终影响的激光器芯片产品指标包括出光功率、单模良率、芯片波长、极限工作温度特性、芯片模态稳定性、高频特性等。公司除在部分低速率2。5G激光器芯片生产中采用全息光栅工艺，其他2。5G以及全部10G、25G及以上速率激光器芯片均采用先进的电子束光栅工艺。此外，公司核心技术相移光栅技术是改善激光器芯片信噪比的重要技术，该技术近年来被大量应用于高端高速光芯片，已成为行业中高度认可的制造高速激光器芯片必须技术之一。
　　公司在研项目提供国内领先、国际先进的光电信息传输方案。公司开发的大功率硅光激光器芯片可作为高速硅基集成光模块应用的25mW50mW70mW大功率激光器光源，最终满足数据中心100GDR1400GDR4架构的需求；正在开发的100G激光器芯片可作为400G、800G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据中心100GLR1FR1DR1、400GLR4FR4DR4与800GDR8架构的需求；公司开发的50G激光器芯片可作为200G、400G高速光模块应用的激光器光源，最终满足数据中心200GDR4FR4与400GFR8LR8架构的需求。在研产品性能处于国内领先、国际先进的水平。
　　（二）光芯片需设计与制造紧密结合，IDM助生产流程自主可控
　　IDM模式是行业主流方向，也是我国企业解决高端光芯片技术及量产瓶颈的最佳生产模式。集成电路行业公司，由于行业分工日益明确，为减少大规模资本投入，集中资源投入研发环节，新进企业多采用Fabless模式。而光芯片行业，相较于逻辑芯片注重尺寸缩小，激光器芯片需通过工艺平台实现光器件的特色功能，更注重工艺的成熟和稳定；此外光芯片生产环节要求芯片设计与晶圆制造环节相互反馈与验证，以实现产品的高性能指标、高可靠性。全自主知识产权的光芯片生产线使得公司能够根据晶圆制造过程反馈的测试情况，改良芯片设计结构并优化制造工艺，并有利于全生产流程的自主可控，不受贸易摩擦等国际环境的影响。
　　光芯片特性实现要求设计与制造的紧密结合。光芯片使用IIIV族半导体材料，要求芯片设计与晶圆制造环节相互反馈与验证，以实现产品的高性能指标、高可靠性。光芯片特性的实现与提升依靠独特的设计结构，并根据晶圆制造过程反馈的测试情况，改良芯片设计结构并优化制造工艺，对生产工艺、人员培训、生产流程制订与执行等环节的要求极高。而光芯片制造涉及的流程长，相关技术、经验与管理制度需要长时间积累，对光芯片商用化制造能力提出严苛的要求，提高了制造准入门槛，因此长期且持续的工艺制造投入所积累的生产与管理经验，是行业中非常必要的条件。
　　光芯片行业IDM模式，有助于生产流程的自主可控。光芯片生产工序较多，依序为MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试、芯片高频测试、可靠性测试验证等。IDM模式更有利于各环节的自主可控，一方面，IDM模式能及时响应各类市场需求，灵活调整产品设计、生产环节的工艺参数及产线的生产计划，无需因规格需求的变更重新采购适配的大型自动化设备。另一方面，IDM模式能高效排查问题原因，精准指向产品设计、生产工序或测试环节等问题点。此外，IDM模式能有效保护产品设计结构与工艺制程的知识产权。
　　公司采用IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。在IDM模式下，公司掌握光芯片生产全流程核心工艺开发能力，不断积累光芯片研发与生产经验，将科技成果应用于芯片设计、晶圆外延等核心环节，实现产品的差异化特性、高性能指标、高可靠性等，提高产品竞争力，实现了科技成果与产业的深度融合。IDM模式使得公司能够快速将研发技术与生产经验结合，更快提升和改进新技术，推出新产品，保障产品的可靠性和稳定性，无需委托国际先进晶圆片厂商制造加工晶圆，实现光芯片生产全流程各环节的自主可控。同时IDM模式让公司更好控制产线产能，能根据客户需求安排工期，实现更快的服务响应速度，对解决我国高端光芯片卡脖子问题极为重要。
　　凭借IDM模式，导入可靠性验证后原型样品如出现失效情况可高效排查、定位、迭代。光芯片的终端应用客户主要为运营商及互联网厂商，在产品性能满足的前提下，更关注产品的可靠性及长期使用的稳定性。光芯片的应用场景可能涉及户外高温、高湿、低温等恶劣的应用场景，对其可靠性验证的项目指标多样且耗时长久，用于确保严苛环境产品长时间操作不失效。光芯片设计定型后需进行高温老化验证，周期通常超过二至三个季度。市场需求急迫时，光芯片供应商需提前导入可靠性验证方案，以确保供需及时。凭借IDM模式，原型样品在导入可靠性验证后，如出现失效情况，公司能对设计、制造或测试等各环节进行高效地排查，精准定位改善点并快速展开第二型、第三型样品光芯片的迭代开发，有效提高可靠性验证项目的实施效率。四、积极布局新业务，募投项目助力产能提升
　　公司拟公开发行股份1500万股A股，占此次公开发行后总股本的25，此次发行后公司总股本为6000万股。公司本次募集资金投资项目系根据未来发展规划做出的战略性安排，主要用于10G、25G光芯片产线建设项目、50G光芯片产业化建设项目研发中心建设项目及补充流动资金等。本次募集资金的投入有利于扩大公司的生产规模，实现多种光芯片产品的专线生产，打破高端光芯片的进口依赖，有利于促进我国通信建设和产业发展。此外，研发中心建设亦根植于公司主营业务，符合行业发展对技术升级的需求，有利于提高公司的研发效率和研发质量。
　　（一）10G、25G光芯片产线建设项目
　　10G、25G光芯片产线建设项目将扩大公司生产规模、突破产能瓶颈。同时该项目通过专线生产提高生产效率及产品良率。随着光芯片市场规模扩大，公司产品供应能力不足，产能逐渐成为制约公司发展的瓶颈。公司亟待新建产线以扩大10G、25G光芯片的产能，从而满足日益增长的客户需求。该项目计划总投资5。91亿元，将在公司自有土地上建立10G、25G光芯片产线，提高公司的产品供应能力，满足市场需求。此外，公司针对核心产品设置专线生产，有助于提高设备使用效率，能够进一步提升公司的产品品质及市场竞争力，是对公司现有业务的延展。
　　（二）50G光芯片产业化建设项目
　　目前，国内企业主要集中于2。5G光芯片产品的生产和制造，10G和25G中高速率光芯片逐渐实现量产，而50G及以上高端光芯片生产仍主要集中在美日企业中，国内需求极度依赖进口。近年来国际形势的变化在一定程度上制约了我国通信产业的建设及通信行业厂商的发展。随着光通信行业的发展，光芯片领域的战略地位将进一步凸显。本项目生产的50G光芯片将有助于打破高端光芯片的国际进口依赖，推动实现国产化替代，促进我国通信建设和产业发展。
　　高速率、大带宽的光通信市场应用的快速迭代，进一步扩大了高速光芯片的市场需求。受贸易摩擦影响，抢占高速光芯片市场已成为国内光芯片企业的竞争焦点，行业内的领先企业都在积极探索并布局高速光芯片产品，力争突破技术瓶颈，尽早实现商业化应用。因此，本次募投所建设的50G光芯片产业化建设项目的落地，将有助于公司拓展下游市场，丰富产品种类，优化产品结构，进一步巩固行业领先地位。该项目计划总投资1。29亿元，将在公司自有土地上建立50G光芯片产线，抢占市场先机，打造国内50G光芯片品牌，推动高性能光芯片的国产替代。
　　（三）研发中心建设项目
　　为进一步夯实研发实力，公司拟开展研发中心建设项目。持续创新是公司产品的核心竞争力，而提高产品设计与测试能力是技术创新的关键点。随着产品品类的开发升级和业务的飞速发展，公司提高研发效率与质量的需求愈发强烈。因此，研发中心建设项目将有助于公司实现技术升级，延拓产品应用领域、提高研发效率与研发质量，并改善公司研发环境、吸引高素质人才。
　　该项目计划总投资1。43亿元。公司拟购置先进的电子束曝光系统、金属有机气相外延炉、高精度光刻机等生产设备和芯片光电测试系统、高频测试系统等检测设备及设计开发软件，提升研发的软硬件设施水平，建立标准化研发平台，提升核心竞争力。公司将持续在光芯片领域加强研发力度，确保公司研发技术处于行业领先水平，同时公司还将在既有技术基础上加大产品延伸力度，进行高功率硅光激光器、激光雷达光源、激光雷达接收器等前瞻性课题的研究，助力开发更高速率的光芯片、面向硅光的光芯片等，拓展产品应用领域。
　　（四）补充流动资金项目
　　公司深耕光芯片领域，推出2。5G、10G和25G及更高速率激光器芯片系列产品，形成了市场竞争优势，但纵观国内外竞争对手情况及公司未来发展规划，公司的资金实力仍有待加强，尚需筹集更多资金满足营运需求。随着今后10G、25G光芯片产线建设项目50G光芯片产业化建设项目研发中心建设项目等的落地，采购增长、人员招募、技术研发、市场开拓等对资金的需求将进一步提升，公司发展更需要充裕的流动资金作为保障。因此，综合考虑行业发展趋势、自身经营特点、财务状况及未来发展规划等，公司拟将本次募集资金中的1。5亿元用于补充日常流动资金。五、盈利预测
　　盈利预测关键假设：如今全球数据流量爆发增长，带动下游光模块市场不断增长，中国的光模块企业在过去十年全球份额快速提升，同时，公司在光纤接入市场各类产品及储备均处于领先地位。因此，预计未来公司会迎来较好的发展。根据公司2022年12月2日招股书数据显示，公司预计2022年可实现的收入区间为2。8亿元至3。3亿元，同比增长20。63至42。18。展望明年，5G建设仍会不断深入，数据中心领域公司高速光芯片逐渐受到下游客户认可，同时，公司还不断加大新产品研发力度，未来将陆续推出50GPAM4、硅光大功率等归属于其他类别的新芯片，造就新的增长点。
　　在毛利端，高速率产品具有高毛利，公司试图通过改进良率和增加高速率产品占比来提升毛利，其中2。5G产品经过2021年技术工艺的改进，毛利就有所提升，未来随着2。5G芯片走向成熟阶段，竞争加剧，毛利率会有所下降，但公司正不断扩大高速率产品的占比，因此，预测公司毛利不会有很大的波动。基于此，我们预计2022年归属于母公司股东的净利润为1。04亿元，同比增长9。47，2023年公司营收有望达3。91亿元，同比增长37。5，归母净利润预计可达1。44亿元，同比增长34。
　　（1）2。5G激光器芯片：2。5G产品主要应用场景为光纤接入市场，考虑2。5G我国厂商在全球市占率已经较高，因此公司出货量也有望随行业渗透率提升而持续上升。我们预计20222024年公司2。5G激光器芯片业务营收规模为1。135、1。135、1。136亿元，同比变动幅度为14。38、0。01、0。04，考虑到2。5G国内光芯片厂商已经进行充分竞争，已经是较为成熟的产品，为此我们判断公司2。5G单价将每年小幅下降，带动毛利率水平相应下降，因此预测20222024年毛利率分别为50。0、45。0、43。0。
　　（2）10G激光器芯片：公司在10G激光器芯片领域主要包括10G1270nm、和10G1577nm两项产品。这两项产品因为公司所处格局良好，预测2022年价格基本不变，而2023年营收、平均价格、毛利率受新产品1577nm导入而结构改善且大幅增长，2024年重新回归到一个较为稳定的增幅、价格、毛利水平。因此，我们预计公司20222024年公司10G激光器芯片业务营收分别为1。19、1。97、2。62亿元，同比增速分别为23。30、65。38、33。11，考虑到10G产品公司所处格局良好，毛利率受新产品1577nm导入会出现增长，因此预测20222024年毛利率分别为65。0、68。0、68。0。
　　（3）25G激光器芯片：当前25G产品主要应用场景为数据中心市场，核心逻辑为数据中心模块市场的国产替代。考虑到下游我国光模块企业在数据中心领域市占率较高，我们认为源杰科技25G芯片在未来数年面临的国产替代需求非常大，有望持续在客户取得新的替代份额。为此，我们认为20222024年25G芯片销量增速能保持在较高水平。预测20222024年公司25G激光器芯片业务营收分别为0。51、0。72、1。10亿元，同比增长40。83、41。80、52。00，考虑到25G芯片的市场情况和公司的研发情况，毛利率会受到价格下降的要素和技术改进降本的要素双向作用，因此预测20222024年毛利率分别为76。0、72。0、70。0。
　　（4）其他激光器芯片：其他芯片系列主要包括公司新开发的、不同于前述速率的芯片类型，主要包括大功率硅光DFB芯片、50GPAM4DFB芯片等新产品。考虑到硅光模块作为低成本、集成化的模块方案未来市场占比较高，大功率DFB芯片应用较为广泛，且公司是全球少有的能提供硅光大功率DFB的厂商之一，有望在未来硅光大趋势下分一杯羹。明年随着公司新产品的放量，公司营收有望快速提升。为此，我们预测20222024年公司其他激光器芯片业务营收规模为0。0014、0。080、0。634亿元，同比增长1。33、5673。61、691。15；毛利率方面，我们认为小批量到批量会有早期价格较高，后续回归的趋势，因此，我们预计20222024年毛利分别为85。7、72。0、70。0。
　　（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
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