台积电2nm芯片都快量产了，中芯国际55nm才刚研发成功？别

　　中芯国际是中国大陆芯片代工行业的门面，近几年在社会各界的支持下，发展十分迅速，接连传出好消息。中芯国际最新财报显示，今年上半年，中芯国际取得37。45亿美元的营收，同比增长53。
　　在核心技术方面，中芯国际也有好消息传来：55纳米BCD平台第一阶段已完成研发，进入小批量试产。
　　这原本是一条非常振奋人心的消息，但是有人看到这条消息却极尽嘲讽，竟然说中芯国际突破的是国外十年前的技术。但事实真是如此吗？
　　实际上，55纳米BCD工艺是全球领先的工艺水平，十年前的BCD工艺只有180nm！
　　很多人对半导体的了解并不全面，只能粗浅地按照纳米制程等级来区分芯片，比如大部分人都很容易区分手机芯片的等级，5nm工艺的麒麟9000芯片肯定要比7nm工艺打造的骁龙855芯片要更好。
　　但是大家都不知道，芯片的种类其实有很多，我们常见的高端手机芯片每年市场需求量其实只占整体芯片市场的5都不到。
　　而所谓的BCD平台工艺和我们平常理解的手机芯片制程工艺有很大的区别，甚至完全无法相提并论。
　　我们平常说的3nm、5nm芯片其实都是指CMOS工艺的数字逻辑集成电路，但集成电路并不止数字逻辑，还有模拟电路射频电路。相比数字逻辑集成电路，这类芯片所处的工作环境更加恶劣，需要更加可靠的稳定性，研发难度同样非常困难，甚至没有成熟的EDA软件可供开发。
　　BCD工艺是一种单片集成工艺技术，主要用于数字功率半导体的混合电路，它有什么特殊之处呢？
　　BCD工艺是BipolarCMOSDMOS的简称，听名字就能知道的它的特殊之处：BCD工艺就是将双极晶体管（Bipolar）、CMOS和DMOS（双扩散晶体管）这三种器件集成到同一芯片之中。
　　BCD工艺集成这三种器件的好处是使其互相取长补短，发挥各自的优点。所以BCD工艺打造的芯片既有双极器件高跨导、强负载驱动的优势，也融合了CMOS器件集成度高、低功耗的优点。
　　成熟的BCD工艺制程可以让芯片大幅降低功率损耗、提高系统性能，节省电路的封装费用，还有更好的可靠性。
　　BCD工艺的主要发展方向有三种，分别是高压BCD方向，电压范围是500700瓦，用于电子照明和工业应用的功率控制；高功率BCD方向，电压范围是4090瓦，主要是用于汽车电子；高密度BCD方向，主要电压范围是550瓦，主要用于一些高电压汽车电子应用。
　　同时，BCD工艺也是制造电源管理、显示驱动等IC的上佳选择。在当前智能化趋势加快的背景之下，各种智能电子终端、工业器件对电源管理、显示驱动都有了更高的需求，因此发展BCD工艺是大势所趋，具有广阔的市场前景。
　　目前在售最先进的BCD只有90nm，主要由SEM公司制造销售，所以对比起来，中芯国际的55nmBCD工艺是全球领先的。
　　中芯国际高制程的BCD工艺未来主要针对工业和汽车应用的中高压BCD平台和车载BCD平台，以及为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片提供解决方案。
　　我写这篇文章的目的不是为了吹嘘中芯国际的技术有多么强大，而是为了让大家了解芯片有很多种类，不同种类芯片有不同的作用。
　　我还要告诉大家，虽然中国的半导体整体制造水平确实落后国际先进水平，但也千万不要妄自菲薄。过去12年，我们国家建立了完整的芯片工业体系，在研发、设计、制造、终端、晶圆等方面均有布局，并且都保持了高速增长。
　　所以我们要看到，我们的落后是暂时的，早晚是会突破的！
　　台积电总裁魏哲家最近说，台积电保证能够在2025年量产2nm芯片，并且会是最领先的技术。厉害吗？确实很厉害，但是我们也要看到，中芯国际在没有EUV光刻机的情况下，依然完成了7nm制程工艺的研发。
　　如果我们购买的那台EUV光刻机能够顺利发货，我们现在与国际水平的差距还会更小。
　　中国大陆半导体产业的突围不会是一帆风顺的，我们承认差距，但是我们的科研人员必须抱着必胜的信念迎难而上。作为普通老百姓，我们别的不能支持，但我们至少可以少说点风凉话，少传播点谣言，少听别人的忽悠，这就是最好的支持。