中国芯片制造的现实水平与发展方向

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　　从完整的生产链考虑，芯片制造有四大关键：芯片设计、光刻机制造、芯片制程（工艺）、芯片封测。这四大关键可简称为：软件、工具、工艺、包装。
　　中国芯片制造业在这四大关键的水平如下。
　　芯片设计：接近世界水平（与高通的水平差不多）
　　光刻机器：刚达90纳米，正在朝28纳米努力（最新ASML光刻机3纳米）
　　芯片制程：14纳米工艺（台积电5纳米工艺，正接近23纳米；Intel7纳米）
　　芯片封测：接近世界水平（达5纳米）
　　总体而言，世界目前最先进的量产芯片在5纳米的水平，今后5年内可能实现2至3纳米。台积电将在美国建立的工厂就准备生产23纳米的晶圆片。
　　中国从国外所购买的光刻机最好的只有14纳米的水平。由于美国禁运，中国无法得到14纳米以下的光刻机，而国产光刻机仅达90纳米水平。根据水桶理论，在今后相当长的一段时间里，中国量产芯片的水平将限制于1014纳米，并且芯片生产的良率与成本有待大幅度提升。
　　芯片制造过去一直是在多国分工合作下进行的。现在美国打压禁运，迫使中国在四大关键领域同时研发软硬件与技术工艺，费时费力费钱。这也是无可奈何的事情。
　　综上所述，中国在整个芯片生产中，软件与包装尚可，工具和工艺落后，尤以工具（光刻机）为甚者；若要全面赶超，需要充裕的人物力时间与持之以恒的决心。
　　就中国军用而言，目前有1490纳米的芯片似乎足矣，也不必考虑良率与生产成本（反正打仗就是烧钱）。民用，除一部分领域（如高档手机），当然也够用。但从国际贸易国际竞争力的角度来看，拥有高端芯片制造技术与低成本的中低端芯片制造能力，却是必不可少的。此外，在先进武器装备安装高端芯片将是今后的趋势，绝不可忽视。
　　这里，高中低端芯片定义为：高端20纳米以下；中端2040纳米；低端40纳米以上。特别要指出的是，研发成功与量产成功之间有巨大的差别，用两个词可以表述：良率、成本。
　　有鉴于此，中国芯片制造在今后10年有以下三个发展方向：
　　（1）努力降低中低端芯片（4090纳米）的制造成本，使其接近世界水平。
　　（2）研发出1428纳米的光刻机，为以后生产57纳米芯片积累经验。
　　（3）将芯片制程技术提高到510纳米的水平
　　当上述三个任务完成后，中国就具备了赶超世界先进芯片制造的基础。注意，这里只是基础，要赶超仍需时日。这是因为，你在进步，别人也在进步。
　　假设10年后有了一条自主的完整的10纳米产业链，再给两个10年（此现在起总共30年，即到了2052年），中国的芯片制造就有可能达到世界先进水平，并且不会受制于人。话虽如此，如果这期间走了弯路，中国赶超世界先进的芯片制造水平可能需要更长的时间。芯片制造跟电动车制造不同，大炼钢铁可能适得其反，弯道超车几乎不大可能，只能稳扎稳打慢工出细活。