突破14nm，中芯国际n1制程流片成功，国产7nm还远吗

　　中芯国际FinFET N+1先进制程工艺的芯片流片成功了！中芯国际向7nm迈出坚实一步。所谓流片成功，意味着该制程工艺已达到有意义的良率，可以进行批量生产尝试了，且良率有望进一步提升。
　　这其中，我们领先的IP和芯片设计企业芯动科技功不可没，自2019年10月份开始，芯动科技在明知N+1工艺还不成熟的背景下，组织了精英团队全程攻坚克难，这其中投入数百万美元，和中芯国际共同调试基于N+1制程的第一款芯片，并一次性圆满完成流片。不利的环境下，中芯国际没有放弃先进制程的追赶
　　尽管中芯国际目前最先进的制程只有14nm，距离芯片制造龙头台积电相差2-3代的技术工艺，但中芯国际依然是全球领先的集成电路晶圆代工企业，也是我们技术最先进、规模最大、配套服务最完善、跨国经营的专业晶圆代工企业。在逻辑工艺领域，中芯国际是我们唯一可以实现14纳米FinFET量产的芯片代工企业，代表大陆自主研发集成电路制造技术的最先进水平。
　　随着芯片制程不断突破物理极限，集成度越来越高，晶圆厂资本开支，在每代工艺节点的增速平均达30% 。例如，每万片月产能，在12英寸晶圆的初代节点（90nm）时，只需要4.8亿美金资本开支，而进入14nm则需要20亿美金的资本开支，7nm则高达25亿美金。
　　2018年，联电、Global Foundries在抵达14nm或12nm节点后，宣布退出更高制程的探索，10nm 工艺以下的玩家，只剩下台积电、英特尔和三星。第二梯队中，唯有中芯国际没有放弃。缺少EUV光刻机支持的7nm制程挑战
　　中芯国际目前的路线图包括使用FinFET晶体管的工艺技术，并依赖于深紫外 DUV 光刻技术。虽然中芯国际在2019年向ASML 购买了一款极端紫外线 EUV 光刻扫描仪，但到目前为止尚未交付。
　　在14nm之外，中芯国际未来的目标还有基于14nm工艺的12nm工艺改良版，此前官方表示12nm工艺比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%，目前已经启动试生产，与客户展开深入合作，进展良好，处于客户验证和鉴定阶段。
　　在往后还有N+1、N+2代工艺，其中N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。关于中芯国际N+1制程的说明
　　＂N+1＂是中芯国际的官方代号，中芯国际并没有说它是7nm节点。而且从公布的参数上看，所谓N+1制程，并不完全是网上传的第一代7nm 工艺。
　　与14nm工艺相比，N+1性能提高了20％，功耗降低了57％，逻辑面积降低了63％，SOC面积降低了55％。大部分参数与通俗意义上的7nm相比，在实际功率和稳定性方面非常相似或接近，唯一的区别是性能，N + 1的性能提高了约20％，这距离7nm 的35％的提升有一些差距，当然，这是唯一的差距。
　　这样来看，n+1 制程如果形成量产，其实在性能上，还是低于台积电计划的30%和实际的35%，而业界现在以35%为市场基准。这么低的性能提升显然不能被称为7nm，它更像三星的第二代10nm和第三代10nm（就是8nm）。
　　接下来，中芯国际将撞上7nm EUV工艺这面高墙，虽然n+1阶段可以暂时躲开ADML 的EUV光刻机， 基于DUV 7nm技术，也可以将良率和可靠性做得很好，但最大的缺点就是贵。
　　英特尔在7nm节点上，为成本坚持DUV成熟工艺的教训历历在目。Intel 10nm与台积电7nm+特征尺寸同水平，Intel工艺选择DUV(193i)+SAQP多重曝光，未采用EUV，长期良率无法突破，导致工艺被台积电阶段性超越，AMD+台积电组合赢得部分CPU市场份额。芯动科技率先完成中芯国际N+1工艺流片，成为里程碑
　　无论如何，芯动科技率先完成中芯国际N+1工艺流片，也抵达了我们芯片史上的重要里程碑。
　　芯动科技多年来深耕研发、持之以恒，聚焦全球先进工艺IP和芯片定制技术，多次填补国内空白，是国内唯一获得全球前6大代工厂签约支持、国内市场份额连续领先10年的高速混合电路芯片技术提供商。
　　芯动科技与中芯国际已有十几年国产IP生态共建的合作经验，从成熟工艺（0.11um,65nm/55nm,40nm,28nm等)到先进的FinFET14nm等工艺不断跨越，在各工艺中进行规模IP授权和定制批量生产，尤其在14nm工艺实现多名客户量产，曾连续多年获得中芯国际＂最佳IP合作伙伴＂奖。此次成功流片是芯动科技基于中芯国际最新工艺的又一力作，强强合作，顺利突破N+1工艺瓶颈。结语
　　由于众所周知的原因，目前我们还不能获得EUV光刻机的加持，这意味着7nm EUV节点，乃至目前台积电已经成熟大规模量产的5nm EUV，我们的代工企业还无法涉及。不过还好，我们现如今还有14nm 到 先进的7nm 这一段路，需要坚实的走过，夯实基础，哪怕是12nm，N+1，N+2工艺，仍然需要我们的芯片企业通力合作，付出巨大的代价实现技术攻关。
　　而这期间，注定还有更多的风风雨雨，未来的处境仍将非常艰难，制造中国芯任重而道远。