长时间来,台积电都走在攻克芯片制程的最前列,在1nm制程上,台积电也不例外。 台积电突破1nm芯片 5月18日,台积电携手台大、麻省理工在1nm芯片材料上,实现重大突破,令1nm制程芯片成为现实的可能性进一步提升。 据了解,当前主流的芯片材料硅存在物理极限,已经难以继续缩小。而二维材料则有望代替硅,实现芯片性能的提升。 不过,二维材料存在的高电阻、低电流问题,却阻碍了其实际应用,成为学界的一大难点。 麻省理工学院发现,一种半金属铋电极可以增强电流能力,并有效降低电阻,恰好能够解决二维材料的应用难题。 此后,麻省理工同台积电、台大组成三方研究团队,分工攻克扮金属铋问题。研究团队发现,将铋作为接触电极的关键结构,可以大幅增强二维材料的电晶体。 如今,三方团队已经将研究成功发表于Nature之上。这一成果,为攻克1nm及以下制程带来了希望,令人瞩目。 中国掌握原材料命脉 值得注意的是,我国铋储量全球第一。也就是说,我国有望掌握1nm芯片的原材料命脉。 全球铋储量相当稀少,全球铋金属储量不过32万吨,主要以游离金属与矿物的形式存在。目前,单独的铋矿床仅有玻利维亚与广东省怀集县的两处。其余的铋矿物,大多同铅、钨等金属矿物共生。 中国的铋储量占据全球的75%,达24万吨;铋储量基础占全球69%,为47万吨。在铋储量与储量基础上,我国都毫无疑问地排在全球第一位,具有绝对的优势。 湖南、广东以及江西,是我国三个铋储量大省;其中,仅湖南郴州的铋储量,就能占到全球的近一半。 中国不论是铋储量还是铋产量,都在全球有至关重要的作用。 中国手握全球大部分铋资源,若半金属铋真能在1nm芯片上得到应用,那么我国在全球芯片产业上的地位将快速提升。 这可以让我国有更高的话语权,避免从源头上被卡脖子。 随着摩尔定律快要极限,全球芯片产业新一轮竞赛已经打响。为攻克1nm芯片难题,如今现有的芯片材料等,都有可能被推翻,打造一条新的全球芯片产业链。 在这条新的起跑线上,我国有了实现超越的机会,十分难得。 文/BU 审核/子扬 校对/知秋