西部数据宣布，与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年即投入量产。
　　目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层，美光日前更是宣布全球首个达到232层。
　　但是西数指出，  自家的162层闪存单元尺寸更小，只有68平方毫米  ，小于竞品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度更高，可以提供和竞品相同的单芯片容量。
　　西数表示，   BiCS6 162层堆叠下，一块晶圆就可以做到100TB容量，而目前只有大约70TB。
　　性能方面，西数宣称自己拥有最好的电荷捕获(Charge Trap)型单元，性能可达  60MB/s  ，比对手快了一半。
　　西数还预告了下下一代BiCS+闪存，  堆叠超过200层，预计可带来60％的传输速度提升、15％的编程带宽提升、55％的晶圆容量提升  ，然后继续一路堆叠，  2032年左右将超过500层！
　　另外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但没有任何细节消息。
　　【来源：快科技】【作者：上方文Q】

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