台积电今日在北美技术论坛上公布了新的制程路线图，定于2025年量产2nm工艺，其采用Nanosheet（纳米片电晶体）的微观结构，取代FinFET。
　　期间，台积电甚至规划了5种3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X……
　　台积电还雄心勃勃地提出，要在2025年前将成熟和专业化制程的产能提高50%，包括兴建更多的晶圆厂。
　　显然，作为产能提升以及兴建晶圆厂的关键核心设备，EUV光刻机少不了要采购一大批。
　　台积电表示，计划在2024年引入ASML的新一代EUV极紫外光刻机。
　　此前，Intel曾说自己是第一个订购ASML下一代EUV光刻机的厂商，计划2025年前使用上。
　　资料显示，荷兰ASML正在研发新款光刻机High-NA EXE:5200（0.55NA），所谓High-NA也就是高数值孔径，2nm之后的节点都得依赖它实现。
　　这款光刻机价值高达  4亿美元（约合26亿元人民币），双层巴士大、重超200吨。

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