三星将推出第八代VNAND闪存层数超过200512GB仅厚0。8mm
作为全球 NAND 闪存市场的一哥,三星在 3D 闪存上又要领先其他厂商了,日前在三星技术论坛上,三星公布了第八代 V-NAND 的细节,堆栈层数超过 200 层,容量可达 1Tbit , 512GB 容量的厚度也只有 0.8mm ,可用于手机。
三星的 V-NAND 闪存现在演员发展到了第七代 V-NAND V7 ,堆栈层数 176 层, TLC 版核心容量 512Gbit , 而即将推出的 V-NAND V8 层数将超过 200 ——三星没提到具体多少层,但之前的报道中指出是 228 层,提升 30% 左右,存储密度提升了 40% 左右。
V-NAND V8 闪存的单颗核心容量也从之前的 512Gbit 翻倍到了 1Tbit ,同时性能也更强, IO 接口速率从 2Gbps 提升到了 2.4Gbps ,性能更适配最新的 PCIe 5.0 标准。
得益于存储容量更大 . V-NAND V8 闪存的厚度依然可以控制在合理水平, 封装 512GB 容量也不超过 0.8mm ,可以用于新一代智能手机。
在未来,三星的 V-NAND 闪存堆栈层数还会进一步提升,路线图中的目标是超过 500 层,这被视为 3D 闪存的极限,不过三星还在想法突破,最终能制造 1000 层堆栈的 3D 闪存。
【来源:快科技】【作者:宪瑞】
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