在  3D   闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了  176   层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产  224   层堆栈的闪存，性能还会提升  30%   。
　　三星的  3D   闪存  V-NAND   目前发展到了第七代，最高  176   层，原本计划在去年底量产，但因为  NAND   闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年  Q1   季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。
　　不过三星在下一代闪存上有望追回来，   最快今年底明年初推出第八代  V-NAND   闪存，堆栈层数首次超过  200   层，之前传闻是  228   层，现在的说法是  224   层，相当于在  128   层基础上再堆栈  96   层。
　　消息称，  三星的  224   层闪存性能也很不错，数据速度提升了  30%   ，  同时生产效率也提高了  30%   。
　　此外，三星的  224   层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现  128   层闪存的公司，这次的  224   层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。
　　【来源：快科技】【作者：宪瑞】

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