韩国头部代工厂KeyFoundry的180nm高压BCD（BipolarCMOSDMOS）工艺已开始进行大规模生产，并计划在今年晚些时候生产200V器件。
　　BCD（BipolarCMOSDMOS）技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展，BCD工艺已经成为PIC的主流制造技术。
　　据eeNews报道，从Magnachip剥离出来后，KeyFoundry提供180nm的BCD工艺，适用于从8V到150V的宽电压范围的功率器件。100V或150V级别的器件用于智能手机或笔记本电脑中的电池充电IC，例如提高TypeC充电器的性能。在60VBCD工艺中，最大功率可达100W，但如果充电IC采用150VBCD工艺设计，则传输功率可增加至240W。
　　此外，这些高压器件也可用于设计大功率工业电机的驱动芯片。KeyFoundry表示，计划在今年下半年为通信和工业设备的大功率电压转换器IC提供200V级高压器件。
　　BCD是一种将模拟信号控制用双极电路、数字信号控制用CMOS电路和高压处理用DMOS电路集成在一块芯片上的工艺技术，适用于各种功率半导体产品，具有电压高、可靠性高、电子干扰低等优点。
　　KeyFoundry表示，最近，为了实现高速电力传输和高功率效率，功率半导体市场对100V或更高电压的BCD技术的需求正在增加。尤其是在很少有工厂使用块状硅晶圆（bulktypesiliconwafer）提供100V或更高电压的BCD工艺，在不使用SOI衬底的情况下，启动180nm150VBCD技术的量产具有重大意义。

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