上海微系统与信息技术研究所消息显示，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究。
　　2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构半导体C3N单层材料，并发现该材料在电子注入后产生的铁磁长程序；2016年初步实现AA及AB堆垛双层C3N的制备。
　　此后，他们与华东师范大学研究员袁清红团队通过近5年努力，在双层C3N的带隙性质、输运性质等研究领域取得突破，进一步证明双层C3N在纳米电子学等领域的重要应用潜力。
　　据介绍，该工作证明了通过控制堆垛方式实现双层C3N从半导体到金属性转变的可行性。与本征带隙为1。23eV的单层C3N相比，双层C3N的带隙大致可以分为三种：接近金属性的AA和AA堆垛、带隙比单层减少将近30的AB和AB堆垛、与单层带隙相近的双层摩尔堆垛。上述带隙变化可归因于顶层与底层C3N间pz轨道耦合下费米能级附近能带的劈裂。在双层之间相互作用势接近的前提下，价带顶和导带底波函数重叠的数目决定了能带劈裂程度，进而影响带隙。其中AA、AA、AB、AB等双层C3N中，两层波函数重叠的数目存在两倍关系，带隙劈裂值为近似两倍关系。而对于双层摩尔旋转条纹结构，上下层原子基本错开，pz轨道的重叠有限，因此其带隙与单层C3N接近。
　　此外，研究还发现通过施加外部电场可实现AB堆垛双层C3N带隙的调制。实验结果表明，在1。4Vnm1的外加电场下，AB堆垛的双层C3N的带隙下降约0。6eV，可实现从半导体到金属性的转变。

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