三星定目标2022年6月前全面开发出第六代11nm1cDRA
IT之家4月15日消息,据BusinessKorea的报道,三星已经设定了目标,即在今年6月前完成11纳米的第六代1cDRAM芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过1bDRAM的开发,这是一种12纳米芯片。
此前有消息称,三星已经中断了1213nm工艺级别内存研发,表示三星13nm级别的内存被间接承认失败。
报道称,三星希望扩大与竞争对手的技术差距,这些竞争对手包括SK海力士和美光科技。此外,这并不是三星第一次放弃DRAM的某些开发阶段而向更高层次发展。此前,三星放弃了28纳米DRAM的大规模生产,专注于生产25纳米DRAM。
业内专家认为,对三星来说,生产11纳米DRAM并不是一件容易的事,因为这需要先进的技术。然而,据BusinessKorea报道,三星希望找到一种方法,该公司在1cDRAM完成之前面临着巨大的开发压力,因为其在1aDRAM的量产方面落后于其两个竞争对手。
IT之家了解到,内存工艺在20nm节点之后就有不同断代方法,之前用的是1x、1y、1z,后来又有了1a、1b、1c工艺,不过三星、SK海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样,有时公布的还是数字nm命名。