IT之家4月13日消息今天,长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X26070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X26070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高IO传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。长江存储X26070拥有1。6Gbs高速读写性能和1。33Tb高容量,再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度。 IT之家了解到,QLC是继TLC(3bitcell)后3DNAND新的技术形态,具有大容量、高密度等特点,适合于读取密集型应用。每颗X26070QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈,共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型(ChargeTrap)存储单元,每个存储单元可存储4字位(bit)的数据,共提供1。33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小人,一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间,每个房间住4人,共可容纳约14,660亿人居住,是上一代64层单颗芯片容量的5。33倍。 此次同时发布的还有128层512GbTLC(3bitcell)规格闪存芯片(型号:X29060),以满足不同应用场景的需求。