英特尔解释10nm芯片为何跳票，承诺2021年推7nm产品

　　5月9日消息，据Anandtech报道，在美国当地时间8日举行的英特尔投资者日上，该公司首席执行官鲍勃·斯旺（Bob Swan）和总裁穆尔西·兰德奇塔拉(Murthy Renduchintala)谈到了英特尔的芯片开发路线图。
　　英特尔历来在执行其工艺技术方面能力超强，但其推出10nm制程工艺数次延迟显然引发了许多质疑，而且这种情况已经持续了数年。两位英特尔高管详细介绍了英特尔在此期间所做的事情，以及其从这些事件中吸取了哪些教训。
　　早在2013年，英特尔就设想通过提供2.7倍密度的自对准四轴图形(SAQP)、有源栅极上接触(COAG)、Cobolt互连以及EMIB和Foveros等新封装技术，利用10nm芯片取代14nm芯片。
　　英特尔承认，这是个雄心勃勃的计划，但由于该公司没有与相关团队明确界定目标，导致该计划最终变得过于复杂，且没有以理想的方式加以管理。
　　这最终致使10nm工艺的推出被延迟。在这种情况下，英特尔将10nm制程工艺推迟到2019年，并以14+和14++填补了空白。
　　自该计划实施以来，英特尔的14+和14++工艺已经获得了超过20%的性能提升。因此，英特尔不仅为将来的节点内优化做好了准备，而且实际上还调整了路线图来完善它。
　　兰德奇塔拉明确表示，英特尔希望在新工艺开始时引入类似摩尔定律式的增益，并在该工艺结束时引入另一种类似的增益。
　　英特尔表示，其10nm产品系列将从今年年中开始上市，客户端平台(笔记本电脑)将配置Ice Lake。
　　英特尔将在2019年和2020年推出多种10nm产品，包括在2020年上半年推出基于10nm的服务器。
　　此外，英特尔表示将在2021年生产并推出一款7nm产品。
　　对于一家开发10nm工艺都存在问题的公司来说，这个时间表听起来显得十分激进。在英特尔路线图中，10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。
　　考虑到这一点，英特尔的7nm产品将成为该公司从14nm和10nm系列产品中吸取教训的结合体。英特尔希望实现2倍扩展(摩尔定律)，但是计划将节点内优化作为路线图的一部分。
　　英特尔也在减少其设计规则的数量，这应该有助于执行新的路线图计划。7nm也将是英特尔与EUV交叉的领域，并将引入下一代Foveros和EMIB封装技术。
　　英特尔还展示了以个人电脑为中心的单片芯片和基于Foveros和EMIB的多模数据中心芯片。英特尔芯片和封装团队表示，我们将看到Foveros和EMIB出现在新产品上，特别是GPU。
　　英特尔宣布其领先的7nm产品将是基于Xe图形架构的新GPGPU。该公司表示，其Xe产品将有两个不同的微体系结构（从移动端GPGPU），其中一个架构称为北极声音（Arctic Sound）。
　　英特尔将在2020年发布首个分离式GPU技术，然而7nm GPGPU将等到2021年推出。