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SK海力士研发出1Ynm8GbDDR4内存条功耗降低15,明

  IT之家11月12日消息根据外媒TechPowerup的消息,SK海力士公司宣布已开发出1Ynm8GBDDR4DRAM。与上一代1XnmDRAM相比,该产品的效率提高了20,功耗降低了15以上。它还支持高达3,200Mbps的数据传输速率,这是DDR4接口中最快的数据处理速度。该公司采用4相时钟方案,使时钟信号加倍,以提高数据传输速度和稳定性。
  SK海力士还推出了自己的SenseAmp控制技术,以减少功耗和数据错误。SK海力士改进了晶体管结构,降低了数据错误的可能性。该公司还降低了芯片的功耗,以防止不必要的损耗。
  这款1Ynm8GBDDR4DRAM为我们的客户提供了最佳的性能和密度,DRAM营销主管SeanKim说。SK海力士计划从明年第一季度开始出货,积极响应市场需求,他补充说。
  SK海力士计划将1Ynm技术流程扩展到服务器和PC领域,后来扩展到其他各种应用,如移动设备。

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