芯片制造为何这么难？

　　因为芯片制造中四大核心技术：CMP抛光液技术、CMP抛光垫技术、光刻胶技术、光刻机技术
　　到目前为止，只有前两个核心技术国内企业已经攻破技术壁垒，实现了国产化；后两个核心技术还有待突破。
　　芯片制造中四大核心技术：CMP抛光液技术、CMP抛光垫技术、光刻胶技术、光刻机技术
　　芯片的制造工艺，分为两道工序：晶圆制造工序和在晶圆上光刻集成电路图工序。
　　晶圆制造工序的核心技术是CMP抛光液技术和CMP抛光垫技术
　　晶圆制造工序，分为7个工序：扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、化学机械抛光（CMP）、金属化。
　　晶圆制造工序的核心技术是CMP抛光液技术和CMP抛光垫技术
　　CMP工序是通过机械研磨技术与表面化学作用相结合，使晶圆表面达到纳米级的平坦效果，这样才有利于下一步光刻集成电路图工序顺利进行。
　　CMP抛光液的性能，决定了晶圆表面质量。CMP抛光液由研磨材料（常用的有纳米级Al2O3粒子和纳米级SiO2粒子）、PH调节剂、稳定剂、氧化剂、成膜剂，和具有腐蚀溶解作用的表面活性剂等组成。
　　CMP抛光液的性能，决定了晶圆表面质量
　　CMP抛光液对晶圆表面的作用机理，分为机械作用机理和化学作用机理。
　　机械作用机理
　　CMP抛光液中的研磨材料对晶圆表面材料进行研磨去除，同时抛光液具有润滑和降温的作用。研磨下来的晶圆表面材料随着抛光液流走，有效避免划伤晶圆表面。
　　CMP抛光液对晶圆表面作用机理，分为机械作用机理和化学作用机理。
　　化学作用机理
　　抛光液中具有腐蚀作用的表面活性剂，会与晶圆表面材料发生轻微的化学反应，使晶圆表面材料软化。在机械作用的协同下，磨去晶圆表面的材料。
　　CMP抛光液对晶圆表面作用机理，分为机械作用机理和化学作用机理。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　光刻胶是一种对光敏感的高分子化合物，当被X射线、紫外光等光源照射时，就会发生相应的化学反应的蚀刻材料。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　光刻胶，由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）和光刻胶树脂、单体、其他助剂组成。其中光引发剂和其他助剂占15%，光刻胶树脂占50%，单体占35%。
　　目前光刻胶从应用方向分为：LCD光刻胶、PCB光刻胶、半导体（芯片）光刻胶，前两个基本国产化，半导体（芯片）光刻胶技术要求较高，目前相关技术与国外还有很大差距。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　光刻胶使用工艺流程
　　1.光刻胶涂布到晶圆表面前，先用氢氟酸、甲醇、双氧水等溶剂对晶圆表面进行清洗。
　　2.清洗后，在晶圆表面涂上一层光刻胶，烘干后放到光刻机里。掩模版与晶圆对准，然后进行曝光，就是光照。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　掩模板上分为图形区和没有图形的空白区，当光通过掩模版照射过去时，经过掩模版图形区域的光被图形遮挡了，照不到图形下面的光刻胶。
　　可以这么理解，把掩模版看作一块涂有黑色图形的玻璃，当阳光照到玻璃上时，照到图形上的阳光透不过黑色图形。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　经过空白区域的光，因为没有图形遮挡，直接透过空白区，照到了下面的光刻胶，这些光刻胶被光照后，会发生交联、聚合、分解等化学反应。
　　3.经过曝光后，再经过显影，显影液就会选择性地与被光照的光刻胶发生反应，这部分光刻胶就会溶解于显影液中。
　　4.再进行烘干，此时没有被光照过的光刻胶就形成了掩模版上的图形。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　5.蚀刻，所用蚀刻液会与没有光刻胶覆盖的晶圆表面发生轻微的反应，有光刻胶覆盖的晶圆表面接触不到蚀刻液不会发生反应。
　　打个比方，把晶圆表面看作晒谷场上的谷子。下雨了，有棚子遮盖的谷子就淋不到雨，棚子就是光刻胶。
　　在晶圆上光刻集成电路图工序核心技术是光刻胶技术和光刻机技术。
　　6.去除剩下的光刻胶，此时光刻胶下面没有被蚀刻的晶圆表面就形成了掩模版上的电路图。就像上一个比方，当雨停了，把被雨淋到谷子铲走，把雨棚撤掉，雨棚下没有淋湿的谷子就是拉开雨棚时的样子。
　　好比把一个碗按在头上理发，等理完发，把碗拿掉；此时的发型就是一个碗口形状。
　　芯片制造中四大核心技术：CMP抛光液技术、CMP抛光垫技术、光刻胶技术、光刻机技术
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