硅基芯片遭物理极限,国产碳基芯能否厚积薄发?未来芯片主流之争
在台积电突破1纳米工艺不久后,北大的研究团队就研制出了碳基芯片,在硅基芯片即将到达物理极限的同时,我国的芯片领域实现了厚积薄发,跻身到了未来芯片的主流之争中,只是硅基芯片为什么会迎来物理极限呢,与传统的硅基芯片相比,碳基芯片又有什么独特之处?
其实这个物理极限和摩尔定律有关, 这个由英特尔创始人提出的,半导体发展的规律,指的就是,每当过去18到24个月,一个芯片能容纳的晶体管数量,就会往上增加一倍,就连性能也会提升,从那之后全球的半导体产业,都在延续着这个规律, 但是随着晶体管越做越小,大家就逐渐发现,7纳米已经快要接近硅基芯片的物理极限了,一直以来,硅元素都是芯片制作中最基础的材料,把它打磨成硅片制作成晶圆,在经过上千道的工序后就形成了芯片,硅基芯片也是使用了相同的工序,并且在当代的科技产品中,大部分用的都是硅基芯片,但是要想把它制造出来,是离不开高精度的光刻机的,虽然国产光刻机的精度,不如阿斯麦尔的高,半导体产业的发展也一直被打压,但有句老话是,东边不亮西边亮,这不 北大的研究团队就提出了,碳基芯片的研发方案,并且这还多亏了,国产半导体产业的老朋友"石墨烯",因为对石墨烯这个材料的应用,是我国半导体企业的强项。
其实石墨烯就是碳原子上的一层薄膜,只要把这个薄膜卷起来就形成了碳纳米管,也就是硅基芯片中的晶体管,它可以做到在管道中穿行的同时,完成信号的传输,当所有的碳纳米管经过有规律的排列,组成集成电路后,就成为了一个完整的碳基芯片, 当然我们也可以叫它"石墨烯芯片",只不过这两种芯片的差距并不大,运行原理也差不多,就连化学属性和物理属性都类似,但根据IBM发布的论文发现,与原始的硅基技术相比,碳基芯片更有技术优势,因为在同等工艺的基础上,碳基芯片的性能超出硅基芯片好几倍,并且对光刻设备的要求也不高,但是让熊猫君好奇的是,既然研发碳基芯片不是为了避开光刻机,那研发它的真正原因是什么呢?
其实研发碳基芯片的原因,就是为了提高国产芯片的性能,因为传统的硅基芯片,从14纳米做到3纳米,就是为了提升芯片的性能,因为 只要晶体管做得越小,那么能被芯片容纳的数量就会越多,加上晶体管就是负责传输信号的通道,通道增加了,传递信号的速度自然就更快了,所以在同等芯片面积下,能排列更多晶体管的那个,也就是性能更好的, 虽然硅基芯片的极限扩展到了1纳米,但是现在已经突破了3纳米,很快就要接近极限了,但是碳基芯片却可以实现,1纳米以内的工艺,因为它的运行速度,比传统的硅基芯片要快个5到10倍,功耗也降低了不止一点点,不难看出,碳基芯片的确是一个"黑科技",不过要说碳基芯片出现的主要原因,还是因为芯片独立自主的重要性。
在过去的几年里,我国虽然在芯片研发上投入了很多精力,但是由于很多核心技术没有取得突破,导致芯片研发的道路依旧困难重重,虽然我国在中低端芯片已经实现国产化,但是要想生产出高端芯片,还是需要依赖代工厂的,自从华为被限制后,在芯片制造上就多了很多不确定因素,这才有了碳基芯片的出现,事实证明,即使没有光刻机,我国也能生产出高性能芯片,经过20多年的研发,我国不仅突破了碳基制造设备的瓶颈,还做到了让碳基晶体管芯片技术领先全球,与传统的硅基芯片相比,碳基芯片不仅功耗成本更低,在同等栅极中,碳基芯片的运行速度更快,这就意味着,如果碳基芯片在未来能实现国产化,我国就可以摆脱对硅基芯片的依赖,从硅基芯片与碳基芯片的性能差距来看,我国要想生产5纳米芯片,只需要用到14纳米的光刻机,用不到7纳米的,就不用看阿斯麦尔的脸色了,那么这次我国能否实现弯道超车,在未来的芯片主流之争中站稳脚跟呢?
其实在如今的科技领域中,大部分产品用的还是硅基芯片,因为这个硅元素在地球上的含量特别多,很容易就得到了,这也是为什么硅基芯片用了这么久,依然受欢迎的原因,只不过硅基芯片发展的话语权,并不在我国手里,并且硅基芯片是有物理极限的,越到后面,硅材料的问题就越多,即使已经在研发3纳米芯片,但是再想前进就很困难了,所以碳基芯片才有可能成为,未来芯片领域发展的一大方向,加上国产企业,比国外更早地开始研究碳基芯片,华为就曾研发出过石墨烯电池,北大团队也研发出了5纳米的,碳纳米管的器件,但是硅基芯片已经发展了这么久,真的会这么容易被取代吗?
如今我国在碳基芯片上不断取得突破,是有利于实现弯道超车的,但是芯片的生产和制作,有设计 制造 封装等多个流程,其中包括上千个步骤,并且有科学家做出实验,在同一个晶圆片上,能放置的硅晶体管数量,是比碳晶体管要多的,所以目前是无法实现商业化的,并且要把碳晶体管排列在晶圆片上,需要更加精准的蚀刻技术,不过只要国产企业坚持走自己的路线,不断地突破技术障碍,在接下来的时间里,做好在未来迎接挑战的准备,成为国产半导体行业的制胜法宝,是有机会在芯片主流之争中,名列前茅的。