棒子之伤会是我们的软肋吗

　　据报道：韩国总统文在寅5月13日在三星电子平泽工厂出席＂K—半导体战略报告大会＂时表示，政府将巩固存储芯片全球领头羊地位，并引领全球系统芯片市场，定将实现2030年综合半导体强国的目标。他进一步指出，政府将在京畿道和忠清道规划全球最大规模的半导体产业供应链＂K—半导体产业带＂ ，旨在建立起集半导体生产、原材料、零部件、设备和尖端设备、设计等为一体的高效产业集群。
　　另外，韩国半导体行业协会所说，约有153家韩国芯片企业已计划在今年至2030年间总计投资510万亿韩元以上，其中包括全球最大存储芯片制造商三星电子和第二大厂商SK海力士。其中光是三星就计划在未来十年投入超过1500亿美元，发展非存储以外的半导体业务。
　　虽然，美国制裁并不是针对韩国的。显然，韩国已被目前的事态＂惊着了＂，开始＂内卷＂了。
　　曾今，韩国、台湾、新加坡曾受美国＂恩惠＂—《美日半导体协定》，一度晋级成半导体产业第一梯队。作为，领头羊韩国，它想维护自己的地位，是人之常情。但是，从文在寅的策略上看，看似很完整，但是不是漏了什么。
　　光刻机
　　光刻机是一种投影曝光系统，包括光源、光学镜片、对准系统等。在制造过程中，通过投射光束，穿过掩膜板和光学镜片照射涂敷在基底上的光敏性光刻胶，经过显影后可以将电路图最终转移到硅晶圆上。
　　光刻机分为无掩模光刻机和有掩模光刻机。无掩模光刻机可分为电子束直写光刻机、离子束直写光刻机、激光直写光刻机。电子束直写光刻机可以用于高分辨率掩模版以及集成电路原型验证芯片等的制造，激光直写光刻机一般是用于小批量特定芯片的制造。有掩模光刻机分为接触/接近式光刻机和投影式光刻机。
　　目前最先进的光刻机来自ASML的EUV光刻机，采用13.5nm光源，最小可以实现7nm的制程。此设备的开发难度更高，使用条件更复杂目前只有ASML攻破此项技术。因为所有物质吸收EUV辐射，用于收集光（收集器），调节光束（照明器）和图案转移（投影光学器件）的光学器件必须使用高性能钼硅多层反射镜，并且必须容纳整个光学路径在近真空环境中，整个设备十分复杂。
　　光刻机经历了五代发展
　　-
　　光源
　　波长（nm）
　　类型
　　制程（nm）
　　第一代
　　g-line
　　436
　　接触接近式
　　800-250
　　第二代
　　i-line
　　365
　　接触接近式
　　800-250
　　第三代
　　KrF
　　248
　　扫描投影式
　　180-130
　　第四代
　　ArF
　　193
　　浸没步进式
　　45-22
　　步进投影式
　　130-65
　　第五代
　　EUV
　　13.5
　　极紫外式
　　7月22日
　　目前光刻工艺是IC制造中最关键也是最复杂步骤，光刻机是目前成本最高的半导体设备，光刻工艺也是制造中占用时间比最大的步骤。其约占晶圆生产线设备成本30%，占芯片制造时间40%-50%。以光刻机行业龙头ASML为例，其研发投入每年在10亿欧元左右，并且逐年增长。高端EUV价格不断攀升。2018年单台EUV平均售价1.04亿欧元，较2017年单台平均售价增长4%。而在2018年一季度和第四季的售价更是高达1.16亿欧元。
　　光刻机设备市场龙头集中，EUV光刻机被ASML垄断。全球光刻机出货量99%集中在ASML，尼康和佳能。其中ASML份额最高，达到67.3%，且垄断了高端EUV光刻机市场。每年仅出20台左右高端设备，每一台都被台积电和三星等大型芯片代工厂抢破了头。
　　而，中国企业技术整体较为落后，在先进制程方面与国外厂商仍有较大差距。目前国内A股中光刻机概念股大多这是消费电子属性的IC设计公司，如韦尔股份、卓胜微。专注研发设备的企业甚少。故而，朋友需谨慎投资。
　　这里，小编为大家整理了，芯片制造环节中其他流程的A股上市公司。望中国未来以后，有更多企业参与研发光刻机领域，早日打破国外技术垄断。以下列举地是部分芯片概念企业，不做为投资依据。
　　板块
　　上市公司
　　板块
　　上市公司
　　板块
　　上市公司
　　半导体设备
　　中微公司
　　半导体材料
　　华特气体
　　IC设计
　　北京君正
　　半导体设备
　　北方华创
　　半导体材料
　　江丰电子
　　IC设计
　　卓胜微
　　半导体设备
　　至纯科技
　　半导体材料
　　鼎龙股份
　　IC设计
　　圣邦股份
　　半导体设备
　　华峰测控
　　半导体材料
　　沪硅产业
　　封测
　　长电科技
　　半导体设备
　　精测电子
　　半导体材料
　　上海新阳
　　封测
　　华天科技
　　半导体设备
　　晶盛机电
　　半导体材料
　　安集科技
　　封测
　　晶方科技
　　IDM
　　三安光电
　　封测
　　太极实业