中国光量子芯片取得重大突破，中科大立大功，美国也没料到这么快

　　在芯片发展的问题上，我国一直在扮演的都是一个追赶者的角色。确实在传统的轨机芯片领域，中国的研发与制造能力确实是要落后于欧、美、日、韩这些国家与地区的。面对这样的事实我们有什么突围的办法呢？
　　对此我们的中科院就给出了两条出路，其中一条就是发展新的碳基芯片作为未来发展的新方向，而另一条路就是发展新的光量子芯片技术，以用于改变我国传统芯片技术总体落后的情况。
　　而在近日我国中科大方面就传来喜讯，在我国的科研人员的不断努力下，我国在光量子芯片技术领域又取得了重大突破，而在此方面，就连美国方面都没料想到中国会有那么快。
　　中科大实现突破，光量子芯片有新思路
　　在6月11日的国际知名学术期刊《物理评论快报》上刊载了一篇我国中科大郭光灿院士点科研团队所撰写的论文，在该学术论文中，郭光灿院士团队中的任希锋研究组联合中山大学董建文、浙江大学戴道锌等研究组共同阐述了，基于光子能谷霍尔效应，在能谷相关拓扑绝缘体芯片结构中实现了量子干涉点相关研究成果。该研究成果可以说是中科大方面在光量子芯片科研领域完成的又一次突破。
　　任希锋研究组与中山大学董建文课题组合作在硅光子晶体体系中设计并制备出了＂鱼叉＂形的拓扑分束器结构。该结构的诞生为全世界的光量子芯片技术发展提供了新的思路，对此有国外的科研人员就对中科大方面的此次研究成果表示了赞赏，在赞赏之余，有许多的美媒也对此感叹，中国在该领域的技术发展速度完全超出了美国方面的料想。
　　光量子芯片是未来，中国已经布局多年
　　实际上，无论是从弯道超车的方面去考虑还是从未来技术发展的角度去考虑，中国发展光量子芯片技术都是有百利而无一害的。首先从光量子技术的特点出发，该技术是推动传统通讯向智能化通讯发展的关键，无论是在现在的5G通讯领域还是未来的6G通讯领域，光量子芯片技术的介入都将会是未来发展的一个关键。
　　而在该领域，我国更是早已布局多年，实际上中国之所以可以在该领域实现美国都未曾拥有的成就，一个最主要的原因就是 我国在很早以前就已经开始布局光量子芯片技术了。我国在上世纪八九十年代在传统的芯片领域就已经落后其他的芯片发达国家太多了，因此在该问题上，积极拥抱新技术就成了我们能够在未来赶上世界的唯一办法了。而此次中科大方面所实现的突破就是对这一理念最好的体现。
　　运用与实际的差距
　　我们在看到我国在芯片技术领域的成功突破之后，我们依旧不能忽略掉的一点是，光量子芯片技术就目前为止依旧无法被投入到实际的生产运用当中，换而言之，要将该技术转变成实际的生产力，我们还要有更多的投入。
　　因此在现阶段，考虑到我国芯片发展的实际需要积极地在已有的技术领域展开攻关，这才是我们的当务之急，但是在新技术领域的突破，至少还是为我们的未来留足了发展的空间，所以在看待我们的进步的时候，我们要学会认真、细致与客观。