就在近日台积电公司在第26届技术研讨会上，台积电官方确认5nm与6nm已经在量产当中。
　　台积电官方还在此次技术研讨会上说到，他们研发的5nm工艺还会在2021年推出5nm N5P增强版。
　　而且台积电官方也在技术研讨会上确认了公司正在积极研发3nm和4nm工艺，时刻保持公司在工艺技术上保持领先。
　　其实按照严格的技术意义上来讲3nm与5nm之间的工艺虽然差了两代，但是工艺上改进没有想象中的升级空间大。而4nm工艺按严格意义上来讲应该只是5nm工艺的增强版。
　　按照台积电官方的说法公司推出的3nm工艺将在2021年下半年的时候风险试产，到2022年将投入大规模量产。
　　5nm和3nm的工艺比较的话，3nm将减少功耗25 ~30%、性能提升10~15%，这也将有利于提高移动设备的待机能力。
　　3nm与4nm工艺相比较于台积电来说，韩国电子巨头三星电子也研发3nm的芯片制造工艺，唯一不同的是台积电3nm工艺采用的是FinFET(鳍式场效应晶体管)，
　　三星电子3nm工艺则是采用Gate-All-Around(GAA，环绕栅极晶体管)，三星电子目前正在大规模量产7nm工艺芯片，而5nm芯片工艺由于存在瑕疵，工程师正在积极改进中。
　　台积电在半导体芯片制造中拥有全球50%以上的市场，而三星电子在全球芯片制造市场则占20%左右。
　　三星电子的说法是，3nm与7nm相比较的话，3nm工艺可以将核心面积减少45%、功耗降低50%、性能提升35%。

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