什么是FRAM?
FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
富士通FRAM主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ,约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中具有巨大的优势。富士通代理英尚微电子支持提供样品及产品技术支持等服务。
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于诸多行业领域。近些年来,随着IoT以及汽车电气化等趋势不断涌现,富士通进一步推出更低功耗、或者车规级的FRAM产品,适应物联网设备、汽车电子等行业发展,为客户提供高质量、高可靠性的解决方案。
在汽车电子领域的BMS应用,采用富士通型号MB85RS256TY和MB85RS128TYFRAM产品用于其自主研发BMS系统中。同时,业界知名的一家意大利FI轮胎制造厂商亦采用富士通FRAM产品用于胎压监测。凭借高耐久性、高速写入、高可靠性的特性,与通过车规级认证的产品优势,富士通FRAM成为赋能关键型汽车应用的外挂存储器首选。
除了车规级铁电存储器FRAM产品赋能汽车电子应用外,富士通FRAM具备高烧写耐久性以及低功耗等特性,适用于系统网关(Gateway)中记录与存储重要的数据。高可靠性FRAM更是适用于高端医疗领域的为数不多的电子产品之一。目前富士通铁电存储器FRAM已成功应用在CT扫描机、监护仪、自动CPAP(连续正气道压力)设备、助听器、医疗电子标签等产品中,提高医疗行业的生产效率。
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