晶振相关术语详解，值得一看

　　晶体谐振器相关术语解说
　　1、基波晶体谐振器：设计为以规定的振动模式振荡最低谐波次数(1st)的晶体谐振器。
　　2、谐波晶体谐振器：设计为已高次(3rd、5th、7th)振动模式振荡的晶体谐振器。
　　3、谐波次数：按规定的振动模式，已基波振动为1，对存在的谐波振动依次增大的整数。
　　4、振动模式：由切割角度等决定的晶体片的机械振动姿态，存在厚度切变振动以及弯曲振动等。
　　5、公称频率：晶体谐振器中信频率的公称值。
　　6、负载电容：值的是决定晶体的共振频率的实质外部电容，如果该值小，容易收到电路一侧变化的影响，从而导致频率稳定度恶化。
　　7、激励电平：是晶体谐振器的负载条件，按照施加在晶体片上的电流或电力规定，若将电流设为I、串联电阻设为R1，则电力P通过P=I2·R1表达。
　　8、串联电阻：串联共振频率下的晶体谐振器的电阻值。
　　9、频率公差：是与常温(25℃)下公称频率之间的偏差，按百万分率（x10-6）表达。
　　10、频率温度特性：是百万分率（x10-6）表达与标准温度下频率之间的偏差时，运行温度范围内的最大值。
　　11、频率长期老化：在规定的条件下运行晶体谐振器，当时间经过时的频率变化量。
　　12、运行温度范围：晶体谐振器在规定的公差内运行的温度范围。
　　13、保存温度范围：可以确保不会导致单个晶体谐振器性能老化以及损伤的情况下保存的温度范围。
　　14、顶点温度：描绘2次曲线的频率——温度特性的顶点部分温度。如果此温度位于常用范围，则可以期待稳定的运行。
　　15、二次温度系数：表达频率——温度特性的2次曲线温度系数。
　　16、引线成型类型：对晶体谐振器的引线进行弯曲加工后的类型。
　　17、圆筒类型：圆筒状结构的晶体谐振器，一般值得是khz带谐振器的形状
　　18、晶体谐振器的等效电路：在晶体谐振器的共振点附近，通过将谐振器的端子间电容(Co)与串联电感(L1)、串联电容(C1)、串联谐振器的尺寸越小，R1和L2的平均值就越大。
　　晶体振荡器相关术语解说
　　1、输出频率：晶体振荡器输出频率的公称值。
　　2、频率公差：在规定状态下运行晶体振荡器时的振荡器频率和规定公称频率之间的最大公差。
　　3、频率温度特性：在不改变温度以外的其他条件状态下，通过跨整个规定温度范围的运行锁产生的距离规定标准温度频率的频率偏差。
　　4、频率电源电压特性：在不改变除电源电压以外的其他条件的状态下，通过使得规定电源电压发生变化而产生的距离规定标准电压频率的频率偏差。
　　5、频率负载变化特性：在不改变除负载以外的其他条件的状态下，通过使得负载阻抗发生变化而产生的距离规定标准负载条件频率的频率偏差。
　　6、频率长期老化：在规定条件下、规定运行时间范围内的输出频率的变化率。
　　7、运行温度范围：晶体振荡器维持规定特性的同时又能保持功能的温度范围。
　　8、电源电压：对振荡器外加的直流电压。
　　9、消耗电流：消耗的运行电流。
　　10、待机时电流：具有输出控制功能的机型中，通过来自外部的控制电压进入振荡器停止状态时的消耗电流。
　　11、启动时间：从振荡器的电源电压上升后到输出振幅到达规格振幅的时间。
　　12、输出负载条件：指的是可以连接到振荡器的负载种类以及数量(功率)。
　　13、输出电压：输出波形的振幅。
　　14、上升时间：规定波形上升区间的两个规定电平之间的时间间隔。
　　15、下降时间：规定波形下降区间的两个规定电平之间的时间间隔。
　　16、波形对称：是相比输出电压的规定电平更高的时间和更低的时间比，相对于全信号周期的百分率。
　　17、输出禁用时间：在具有输出控制功能的机型中，在振荡输出的状态下，从输入控制信号到振荡输出停止为的时间。
　　18、输出使能时间：在具有输出控制功能的机型中，在振荡输出停止的状态下，从输入控制信号到出现振荡输出停止为的时间。
　　19、三态功能：通过待机功能停止振荡时使得输出状态处于高阻抗状态的功能。
　　20、相位噪音：对从晶体振荡器输出产生的公称频率附近的不必要能源放射的总称。
　　21、谐波振：荡器输出中，输出频率以外的高次品率成分。
　　22、频率可编范围：在VCXO中，可以通过从外部向振荡器施加的控制电压使之发生变化的输出频率范围。
　　23、频率控制电压：在VCXO中，为使得频率可变而从外部输入的电压宽度。