台积电及其研究合作伙伴日前表示,他们已开发出一种用于晶体管接触电极的材料,该材料将被用于即将到来的1nm制造工艺。 每一种新的工艺技术都会带来新的挑战,在这种情况下,关键的挑战是找到正确的晶体管结构和正确的晶体管材料。与此同时,给晶体管带来能量的晶体管触点对晶体管的性能至关重要。半导体工艺技术的进一步小型化增加了接触点的电阻,从而限制了它们的性能。因此,台积电和其他芯片制造商需要找到一种电阻非常低、可以传递大电流、可以用于量产的接触材料。 研究公司指出,使用半金属铋作为晶体管的接触电极,可以大大降低电阻,增加电流。台积电目前使用钨互连线(使用选择性钨沉积工艺制造),而英特尔使用钴互连线。两者都有各自的优点,都需要特定的工厂工具。 为了使用半金属铋作为晶体管的接触电极,研究人员不得不使用氦离子束(HIB)光刻系统,并设计了一种"简单的沉积过程"。这种工艺只在研发生产线上使用过,所以还没有完全准备好大规模生产。 目前,台积电的1nm节点处于探索模式,台积电正在试验各种选择。