来源：新南威尔士大学
　　摩尔定律是一种经验主义的建议，它表明集成电路中晶体管的数量每隔几年就会翻一番。然而，摩尔定律已经开始失效，因为现在的晶体管太小了，现有的硅基技术无法提供进一步缩小的机会。
　　克服摩尔定律的一种可能性是诉诸于二维半导体。这种二维材料非常薄，可以允许自由载流子(即携带信息的晶体管中的电子和空穴)沿超薄平面传播。这种载流子的限制可能使半导体的开关非常容易。它还允许有方向性的路径，使载流子移动而不发生散射，因此给晶体管带来无穷小的电阻。
　　这意味着从理论上讲,二维材料会导致晶体管,不要浪费能源在开/关开关。理论上，他们可以切换非常快，也开关到绝对零阻值在他们的非工作状态。听起来很理想，但生活并不理想!事实上，要创造出如此完美的超薄半导体，仍有许多技术障碍需要克服。当前技术的一个障碍是沉积的超薄薄膜充满晶界，使载流子从晶界反射回来，从而增加了电阻损失。
　　最令人兴奋的超薄半导体之一是二硫化钼(监理)被调查的主题在过去二十年的电子性质。然而，获得大尺度二维无晶界的二硫化钼已被证明是一个真正的挑战。使用任何大规模的沉积技术，无晶粒边界的MoS2，这是制造集成电路的必要，尚未达到可接受的成熟度。然而，现在新南威尔士大学(UNSW)化学工程学院的研究人员基于一种新的沉积方法开发了一种消除这种晶界的方法。
　　这种独特的能力是在液态镓金属的帮助下实现的。镓是一种令人惊奇的金属，熔点只有29.8摄氏度。这意味着在正常的办公室温度下，它是固体，而放在某人的手掌上，它就会变成液体。它是一种熔化了的金属，所以它的表面像原子一样光滑。它也是一种传统金属，这意味着它的表面提供了大量的自由电子，便于化学反应，＂该论文的第一作者王一芳女士说。
　　＂通过将钼和硫的来源靠近液态镓金属的表面，我们能够实现形成钼硫键的化学反应，从而建立所需的MoS2。＂形成的二维材料模板镀在原子光滑的镓表面上，因此它自然地有核和无晶界。这意味着通过第二步退火，我们可以得到非常大的面积的MoS2，没有晶界。这是一个非常重要的一步扩大这种迷人的跟半导体＂。
　　新南威尔士大学的研究人员现在正计划将他们的方法扩展到制造其他二维半导体和介电材料，以制造出许多可以用作晶体管不同部分的材料。

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