中国可能已经找到成为5nm芯片制造领导者的新方法，中科院立大功

　　光刻机在芯片生产中起着重要作用。它们用于蚀刻晶圆上的图案，以显示将晶体管放置在芯片上的位置。最大的突破之一是EUV（极限紫外光刻）。这会产生极细的标记，这在处理即将面世的5纳米Apple A14 Bionic等芯片时非常重要，该芯片内部装有150亿个晶体管。
　　根据环球时报透露的信息，据称一家国内研究公司已经开发了一种5nm激光光刻机，国人希望这将给落后的芯片产业助其一臂之力。但是，该报告称距离制造这种机器还需要一些时间，该技术还需要解决一些问题。
　　中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所和国家纳米科学技术中心昨天宣布，它们已经在超高精度激光光刻技术方面取得了重要发现。但是，这些发现目前仅是理论上的，需要大量资金才能将其变为现实。激光光刻机将创建精确的图案，以帮助生产半导体，光子芯片和微机电系统。该研究论文已经发布在美国化学学会出版的科学期刊。
　　在芯片生产方面，中国远远落后于其他国家，这就是为什么最近的出口规定变更对华为造成了沉重打击。后者使用世界上最大的合同代工厂台积电（TSMC）来制造由华为海思（HiSilicon）部门设计的芯片。台积电计划于今年向华为交付该制造商的尖端5nm麒麟芯片，该芯片旨在使旗舰产品线如即将推出的Mate 40更强大，更节能。但是美国改变了一条规则，禁止代工厂台积电使用美国技术给华为代工芯片。
　　虽然仍然允许华为在9月中旬之前从台积电接收芯片，但明年会怎样？面对这样的问题，华为开始与国内最大的晶圆代工厂中芯国际开展业务。但是，该公司差台积电背后的几个工艺节点。例如，在台积电忙于生产每平方毫米封装有1.713亿个晶体管的5纳米芯片的同时，中芯国际最先进的IC使用14纳米节点将大约3500万个晶体管封装成平方毫米。中芯国际最近生产了华为的麒麟710-A SoC。中芯国际计划开发7nm工艺节点，但需要更先进的光刻机。据推测，美国阻止了领先的光刻供应商ASML于今年早些时候将机器交付给SMIC，因此，如果5nm激光技术行之有效，这可能对真正需要在这一领域实现自给自足的中国芯片产业有很大的推动作用。
　　位于北京的资深行业分析师向环球时报表示：中国要缩小与西方先进供应商之间的差距，尤其是ASML。分析师说，ASML已经垄断了其机器的关键技术，并指出，为此类项目吸引资金非常困难，因为回报率很低，而且此类投资可能会长时间束缚投资者的资金。这位分析师说：中国的研究机构需要与公司合作，以推翻理论进入产品。但是就利润而言，制造芯片生产机器可能要花费数十亿人民币，而且要花费数年才能收回投资。大多数中国公司都不认为这很划算。＂
　　尽管中国现在可能不会专注于这样的项目，但是拿出这笔钱最终可能会使中芯国际成为竞争者，这对华为和中国来说都是个好消息。你是否也这样认为呢。