中国又一芯片底牌曝光，ASML台积电要慌，外媒这才叫科技创新

　　美国搞科技霸权已经被全球所共知，而之所以美国可以这样肆无忌惮的实施霸权行径，就是因为美国在科技上有着领先性，所以面对美国的咄咄逼人，之前央媒就发文称，要放弃一切幻想，坚持自主研发，掌握自主知识产权，掌握核心科技。
　　中国院士倪光南也指出，核心科技是求不来、买不来、换不来的，因此在当下芯片领域的竞争上，我们自然把坚持自主创新放在首位，目的就是要掌握核心科技，而就在近日，我们又一芯片底牌曝光，这一技术的出现，可以说令ASML、台积电都要慌了。
　　具体来说，在芯片制造上，ASML提供光刻机，芯片制造厂，例如台积电，利用更先进的光刻机来提升芯片的制造工艺水平，来满足芯片设计企业对芯片性能提高的需求。
　　可以说，ASML和台积电的配合，使得芯片制造工艺的提升还在按照摩尔定律的指引发展，当然，这是带来好处的一面，同时也暴露了其他不好的一面，关键就是成本越来越高，目前台积电哪怕每提升1纳米的工艺水平，成本就会翻倍的增加。
　　更关键的是，在核心的光刻机上，ASML方面都已经明确的表示，光刻技术似乎已经发展到尽头，因为如果继续升级光刻机，那么成本是根本无法承担的，为什么会造成这样的恶果呢？
　　很简单，就是台积电太依赖ASML提供的光刻机了，ASML总是可以是时候的提供台积电所需要的光刻机，导致台积电根本不用花费太多精力，去将光刻机的最大能力发挥出来，只要采用更先进的光刻机就可以了。
　　而现在，根据媒体报道，中芯国际SAQP技术效果显著，利用该技术，中芯国际不仅在没有EUV光刻机的前提下，实现了7纳米工艺，而且还可以实现5纳米工艺，而且在经济上还没有达到极限。
　　也就是说，台积电需要用EUV光刻机才能制造的5纳米芯片，中芯国际采用DUV光刻机中的ARFi型光刻机就可以实现，由于DUV光刻机比EUV光刻机的售价要低得多，而且SAQP技术还具备很强的经济性，所以在芯片制造成本上要具备很强的优势。
　　但这还不是SQAP技术的最大能力，从以往来看，台积电制造7纳米芯片，至少要采用DUV光刻机中的高端型号ARFi型，也就是湿式DUV光刻机，但利用SQAP技术，采用干式DUV光刻机就可以，而该类光刻机我们已经做到了国产化。
　　再来说前段时间美国一直打压的中国14纳米工艺，该工艺台积电依然需要用到湿式DUV光刻机，而我们利用SAQP技术，采用KRF光刻机就能够实现。
　　据悉，目前中芯国际利用SAQP技术，仅仅利用现有的DUV光刻机，就可以在产能上超越三星和英特尔在7纳米及以下先进工艺总产能的总和。
　　而我们的国产ARFi型DUV光刻机距离量产已经不远，2022年上半年，国望光学的新工厂方面就已经开始进入设备采购阶段，预计在今年就会交付ARFi型DUV光刻机所需要的曝光系统，所以预计今年我们的该类光刻机就有望量产。
　　目前来看，中芯国际的SAQP技术还只是小试牛刀，通过继续提升SAQP技术的能力，搭配ARFi型DUV光刻机，用以生产3纳米甚至2纳米芯片并不是没有可能。
　　很显然，我们的国产芯片厂商们找到了另一条芯片发展之路，再搭配前段时间发布的原生小芯片技术标准，我们在芯片设计、前道制造和后道制造上就形成了闭环，不仅可以生产先进工艺的芯片，而且生产成本还非常低廉，ASML和台积电不慌都难。
　　外媒方面就表示，这才叫科技创新，才叫真正的科技创新，用高昂成本堆砌的科技创新是难以为继的，就以现在的3纳米技术来说，台积电一年前就已经在技术上准备好，ASML的光刻机也准备好，但是却迟迟没有客户买单。所以说未来已来，对于国产芯片的发展，我们再次充满了期待和信心。