重磅，英伟达助力台积电2nm芯片生产工艺，中国再次被拉开差距

　　英伟达CEO
　　3月22日，英伟达CEO黄仁勋在公司GTC2023大会上宣布推出光刻计算库cuLitho，该计算库是由英伟达联合台积电？ASML和新思科技研发四年实现，将计算光刻速度提升40倍以上，使得2nm及更先进芯片的生产成为可能，并且台积电将于今年6月份对cuLitho进行生产资格认证。
　　很恐怖哈，我们还在挣扎14nm生产工艺的时间，老美要搞出来2nm了，这差的不是一星半点，毫无疑问后面还得被老美＂卡脖子＂，下面就详细对比说说。中国和老美目前分别能做到几纳米芯片生产？
　　中国：目前最先进14nm，当前在突破7nm工艺技术，代表公司为中芯国际，使用的ASML进口的DUV光刻机，这种光刻机一般用来生产28nm以上的芯片，随便出口。美国：目前在生产5nm，已经实现了3nm工艺技术研发，代工厂代表为中国台湾台积电，必须使用EUV光刻机，目前只有ASML可以制造，不对中国出口。DUV光刻机和EUV光刻机有什么区别？
　　EUV光源产生，每秒激发5w次发光原理：DUV光刻机使用的是深紫外线光源，波长193nm；EUV使用的是极紫外线光源，波长13.5nm，差距很明显，波长越短，能实现的分辨率越高，分辨率高出了14倍。光路系统：DUV主要利用光学折射原理，介质为空气；EUV利用光的反射原理，且光源极易被介质吸收，必须是真空条件。光学模组：EUV光刻机光学模组，必须依赖德国蔡司，EUV光源能量不能被损失，要求极高，其他公司造不出来。
　　这么说吧，一台EUV光刻机大约相当于2个公交车大小，重量200吨，10万多个零件，4000多条线路，2公里长管线，需要用三架波音飞机才能运输。售价13亿人民币，运费及护理大约10亿人民币，安装调试需要半年，安装调试费上亿（ 虽然我国不缺钱但是不卖给我们 ）。 生产高精度芯片需要什么条件？
　　EUV光刻机内部
　　说两个最主要的：工艺技术：如曝光技术、刻蚀技术、三维堆叠集成技术等，主要目的是控制芯片上微小结构和元件的大小，以及在芯片表面上形成所需的团和电路，可以认为是理论基础。制造设备：如光刻机、化学机、离子注入机等设备，工艺技术上每一步都需要依赖制造设备来实现，光刻机是卡脖子最大的一个环节。
　　目前看来中国芯研发任重道远，当前不仅EUV光刻机受制于老美，生产工艺技术上也部分依赖美国。因为各种因素，我国无法实现7nm芯片生产，而高端设备又必须依赖，进口芯片的金额达到了4400亿美元（占全球芯片80%），最最主要一旦被制裁花钱也不卖给你…这点就没办法了，希望早日突破技术封锁。