快充功率器件一站式布局，江智科技MOS应用案例盘点

　　前言
　　近年来，消费类电源市场增速迅猛，一方面是USBPD快充实现了大规模普及，大功率以及高电压输出对MOS器件的耐压、内阻等各维度性能提出了更高的要求。另一方面，随着锂电储能应用的兴起，市场对于锂电保护MOS、接口保护MOS等的需求也更为强烈。
　　南京江智科技有限公司（JESTEK）是一家专注于半导体功率器件设计生产与销售的企业。拥有一支从业经验15年以上的设计研发团队，在南京红枫工业园拥有完整的封装测试工厂。
　　江智科技以功率器件为核心，掌握8英寸先进器件设计工艺，持续关注器件电性能提高以及产品的可靠性提高，江智科技通过ISO9001，ISO14001体系认证，与国际一流的芯片、封装、测试代工厂保持密切的合作，保证产品的品质可靠和稳定供货。
　　江智科技的产品以技术和市场的需要为导向，在中低压MOS、超高压产品市场中占有很大的份额，同时注重多元化发展投入，逐步介入并渗透到模拟器件领域。本次充电头网为各位盘点一下江智科技MOSFET在快充市场的应用案例。JST100N30D5G
　　江智科技推出的JST100N30D5G是一款N沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）不超过2。8m（典型值1。9m）；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）不超过4。6m（典型值3。3m），通过100UIS测试。
　　江智科技JST100N30D5G最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID在25下为100A，在100下为63A；脉冲漏极电流最高400A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为25mJ；容许沟道总功耗PD为42W；热阻RJC为3W。
　　江智科技JST100N30D5G采用PDFN568L封装，工作温度55150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：德鲁西20000mAh100W双向快充移动电源JST80N30D3A
　　江智科技推出的JST80N30D3A是一款N沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）不超过5m（典型值3。5m）；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）不超过7。5m（典型值6。7m）。
　　江智科技JST80N30D3A最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID为55A；脉冲漏极电流最高220A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为35mJ；容许沟道总功耗PD为85W；热阻RJC为3。5W。
　　江智科技JST80N30D3A采用PDFN3。3x3。38L封装，工作温度55150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：GADMEI100W2C1A双向快充移动电源JST60N30D5G
　　江智科技推出的JST60N30D5G是一款N沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）不超过7。5m（典型值5。2m）；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）不超过10。2m（典型值7。5m），通过100UIS测试。
　　江智科技JST60N30D5G最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID在25下为60A，在100下为38。5A；脉冲漏极电流最高240A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为64mJ；容许沟道总功耗PD为41W；热阻RJC为3W。
　　江智科技JST60N30D5G采用PDFN568L封装，工作温度50150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：德鲁西20000mAh100W双向快充移动电源JST60N30D3G
　　江智科技推出的JST60N30D3G是一款N沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）不超过6m（典型值4。8m）；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）不超过12m（典型值7。1m），通过100UIS测试。
　　江智科技JST60N30D3G最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID在25下为60A，在100下为38A；脉冲漏极电流最高240A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为34mJ；容许沟道总功耗PD为35。7W；热阻RJC为3。5W。
　　江智科技JST60N30D3G采用PDFNWB3。33。38L封装，工作温度50150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：安能科技超迷你30W氮化镓充电器
　　2、拆解报告：UOCO。45W双USBC氮化镓充电器JST60P30D3
　　江智科技推出的JST60P30D3是一款P沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）不超过7。5m（典型值5。8m）；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）不超过12。6m（典型值9。0m）。
　　江智科技JST60P30D3最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID在25下为45A，在100下为29A；脉冲漏极电流最高180A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为75。7mJ；容许沟道总功耗PD为23W；热阻RJC为5。4W。
　　江智科技JST60P30D3采用PDFNWB3。33。38L封装，工作温度55150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：德鲁西20000mAh100W双向快充移动电源JST20P30D3
　　江智科技推出的JST20P30D3是一款P沟道MOS，耐压30V。在栅源极电压VGS为10V下，导通电阻RDS（on）小于11m；在栅源极电压VGS为4。5V下，导通电阻RDS（on）小于18m。
　　江智科技JST20P30D3最大栅源电压VGSS为20V；连续漏电流ID在25下为35A，在100下为23A；脉冲漏极电流最高140A；单脉冲雪崩击穿能量EAS为78。8mJ；容许沟道总功耗PD为21。5W；热阻RJC为5。8W。
　　江智科技JST20P30D3采用PDFNWB3。33。38L封装，工作温度55150，适用于PWM控制、负载开关、电源管理等应用场景。
　　应用案例：
　　1、拆解报告：德鲁西20000mAh100W双向快充移动电源充电头网总结
　　小型化，大功率，低功耗始终是消费类产品发展的不变的追求和趋势，因此高密度高集成也就成了各个芯片设计公司以及客户孜孜不倦予以突破的技术瓶颈。在USBPD技术各种应用领域中MOSFET无疑承担了主要的功率分配，也是高密度高集成产品能否实现的核心器件。
　　面对持续增长的消费类电源市场，南京江智科技已推出数百款针对不同应用场景的MOSFET功率器件，为电源厂商的产品开发提供一站式MOSFET解决方案，满足电源厂商的多样化需求。