用芯片封装技术反击美国制裁?中芯国际可能面临新的困境
7月16日,参考消息发表一条中国芯片的评论文章:
《港媒:中国用芯片封装技术反击美国制裁》
这篇文章引用的是7月14日香港亚洲时报网站的报道。这篇文章在中文互联网引起一阵沸腾!论证了无数人心心念的芯片技术击溃美国的事实!
然而,事实真相又是如何?
文中提到"美国科技网站汤姆硬件指南网站"。于是我去翻阅了原文。
美国科技网站汤姆硬件指南网站上有一篇7月9日发表的文章:
《美国希望中国的中芯国际停止生产 14 纳米芯片》
这篇文章的作者是自由新闻撰稿人安东·希洛夫。
而这篇文章的讨论主题实际上:当美国商务部认为对中芯国际10 纳米级芯片的制裁不太严厉,而"正在考虑限制中国使用 14 纳米级制造工艺生产逻辑芯片"!
而这篇文章有三个信息值得注意:
1,现在,N+1 和 N+2 节点都被认为是低于 10nm 的制造工艺,因此中芯国际不得不取消它们的开发。
2,2020 年末表示中芯国际将专注于开发先进的封装技术 ,以制造复杂的多芯片设计。
3,在很大程度上,先进的封装技术可能是中芯国际绕过美国出口限制的方法。
然而,该文章的观点又源自哪里呢?
安东·希洛夫引用了他自己2021年1月13日的文章:
《芯片制造商中芯国际试图绕过进口限制》。
正是在这篇文章里,作者提到:
"继华为技术之后,中芯国际是受中美贸易战影响最大的几家公司之一。 到目前为止,该公司不得不放弃依赖 EUV 光刻技术的尖端制造工艺的开发,停止扩大其先进的生产能力,搁置亚 10nm 节点的开发,并重新专注于成熟的制造工艺。"
而关于小芯片堆叠弯道超车的概念,文章是这么评论:
1,AMD和Intel均采用小芯片设计;
2,蒋尚义博士在接受采访时表示,中芯国际没有大力投资 EUV,而是研究先进的封装和小芯片技术;
3,中芯国际当然需要数年时间才能开发出英特尔的 EMIB 或 Foveros 等技术。
因此,从这些资料评论中,我们可以发现一个很严重的问题:
1,由于美国对EUV光刻机的制裁,导致中芯国际放弃了EUV制程开发;
2,由于美国对10纳米技术的制裁,导致中芯国际放弃了N+1,N+2的开发;
3,面对有可能的对14纳米技术的制裁,中兴国际的更多封装和小芯片技术将面临同样的风险。
并且,中兴国际面临的困境不仅仅是美国可能将ASML的光刻机纳入制裁范围,还面临从美国公司获得必要的化学原材料和备件等消耗品的风险,同时还有从美国公司获得用于高精度计量、沉积、蚀刻、光刻胶剥离和晶圆清洗等制造设备的风险。
那么,美国会决定对14纳米技术实施新的制裁吗?参考资料:
https://www.tomshardware.com/news/us-wants-china-smic-to-stop-making-14nm-chips
https://www.tomshardware.com/news/smic-import-restrictions