绕开ASML光刻机，中国自研新型光刻机验收成功

　　业内普遍采用ASML的光刻机来制造芯片，不管是DUV还是EUV，都引起制造商们的疯狂抢购。不过ASML的EUV光刻机无法自由出货，DUV光刻机也被美国盯上。
　　研究ASML光刻机之外的方案成为许多国家的目标。都有怎样的研究探索呢？ASML的光刻机技术还能走多远？
　　ASML光刻机之外的方案
　　一颗芯片是怎样诞生的呢？光刻机在芯片制造过程中扮演怎样的角色？其实市面上的大多数芯片都是由砂砾蜕变而来，第一代的半导体材料几乎都采用硅，而硅是从平凡的砂砾中，通过高温的作用转化成纯度约99.9%的硅。
　　提取硅只是第一步，第二步还需要对硅进行拉晶，形成硅晶柱。之后将其切割成硅晶圆薄片，根据硅晶柱大小的不同，一般会分为8英寸晶圆或者12英寸晶圆。
　　获得晶圆，那么光刻机就需要派上用场了。芯片制造商们会通过光刻机将芯片图案曝光在涂抹光刻胶的晶圆表面，原理类似于照相机的曝光作用。
　　以EUV极紫外光为例，会生成大功率激光对靶材料进行轰击，产生等离子体进一步反射到投影掩膜版。EUV光刻机的真空腔内会继续反射激光光源到多层图层镜，最后在工作台中对硅基晶圆曝光芯片图案。
　　EUV光刻机波长为13.5nm，功率、精度、密度都非常大，是制造7nm及以下高端芯片的必需品。目前只有荷兰ASML一家公司能制造，别的光刻机制造商还在DUV光刻机领域徘徊。
　　可ASML的EUV光刻机再好，也不是随意就能买到的。原因大家都清楚，ASML无法绕开市场规则，只能靠大量销售DUV光刻机来进行薄利多销。
　　既然如此，各国便开始绕开ASML光刻机，探索之外的方案。比如中国自研新型超分辨率光刻机并验收成功，该光刻机的波长为365nm，对分辨力衍射进行突破，形成较短的等离子体，并对晶圆进行曝光光刻，最高线宽分辨率可达22nm工艺。
　　不管是怎样的光刻机，工艺复杂程度都是非常高的，当初尼康，佳能等老牌光刻机巨头都受困于无法压缩光刻机的波长，导致分辨率有限，芯片制造工艺无法更进一步。
　　直到前台积电联合研发中心主任林本坚提出了浸入式光刻机技术，让ASML打造出更先进的光刻机，缩短了光刻机的波长。
　　因此ASML能走到这一步，林本坚是做出巨大贡献的。此后ASML又得益于西方国家的科研成果，将各国顶尖的科技产物汇聚到ASML身上，助力其造出EUV光刻机，从此平步青云，稳占半导体产业链的金字塔顶端。
　　台积电、三星、英特尔等巨头都要排队抢购ASML的EUV光刻机设备，一年生产四五十台供不应求。ASML是人类光刻工艺发展的一个缩影，用＂天选之子＂来形容ASML一点都不为过。 ASML的光刻机技术还能走多远？
　　光刻机是全人类智慧的结晶，并不属于个人或者某个群体，本该在全球化产业链中为人类发展科技做出贡献，却奈何有些国家阻碍全球化进步。
　　所以各国探索ASML光刻机之外的方案，也是为了多一条出路。条条道路通罗马，科技发展也需要创新，只有创新，才能突破。
　　当然，各国研究探索的光刻机方案短期内还无法取代ASML光刻机，毕竟ASML深耕产业几十年，早已经将自家的光刻机产品融入到各大制造商的生产线中，为各行各业稳定输出需要的芯片。
　　能有创新研究自然是好事，不仅能多一个选择的可能性，也可以在摩尔定律极限到来之前，让芯片行业未来的发展有迹可循。因此被寄予厚望的ASML光刻机技术还能走多远呢？能否打破摩尔定律极限？
　　按照摩尔定律的概念阐述，指出芯片可容纳的晶体管数量隔两年就会翻倍，价格还会是原来的一半。等于说芯片性能会越来越高，价格越来越便宜。
　　可事实真的如此吗？虽然芯片性能还在提升，台积电，三星均已突破3nm工艺量产，可价格却一点都不便宜，目前也只有苹果一家公司下单台积电3nm，其余客户都在观望，就是因为价格成功昂贵。
　　想要指望ASML升级光刻机技术让成本降下来也不太容易，因为ASML下一代的NA EUV光刻机价格更贵，达到了26亿人民币/台，是现款EUV光刻机的两倍。
　　纵使ASML NA EUV光刻机能打破摩尔定律，似乎也仅限于2nm至1nm，在这之后是否还能实现更大的芯片制程突破，恐怕ASML也不知道。ASML光刻机技术能走多远，还需要时间给出答案。
　　写在最后
　　绕开ASML光刻机，中国自研新型超分辨率光刻机验收成功，这证明了ASML的光刻机并非唯一的路径。事实上日本，美国等国家地区也在研究其它的芯片制造技术。
　　这样的创新研究会让人类芯片工艺丰富多彩，不断尝试各种可能性，让芯片技术走得更远，更宽。
　　对此，你有什么看法呢？欢迎在下方留言分享。